32M-BIT [x 1 / x 2 / x 4] CMOS MXSMIO®
(SERIAL MULTI I/O)
FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX25L3236F芯片特点
上将
支持串行外围接口——模式0和
模式3
33554432 x 1位结构或16777216 x 2位(两个
I/O读取模式)结构或8388608 x 4位
(四I/O模式)结构
1024个相等的扇区,每个扇区4K字节
-任何扇区都可以单独擦除
128个相等的块,每个块32K字节
-任何块都可以单独擦除
64个相等的块,每个块64K字节
-任何块都可以单独擦除
电源操作
-2.65~3.6伏用于读取、擦除和编程操作
从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护
性能
高性能
VCC=2.65~3.6V
-正常读取
-50MHz
-快速阅读
-快速读取、DREAD、QREAD:133MHz,带
8个虚拟循环
-2领先优势:104MHz,4个虚拟周期,133MHz
8个虚拟循环
-4前进:104MHz,6个虚拟周期,133MHz
10个虚拟循环
-2READ的可配置虚拟循环数
4READ操作
-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式
低功耗
典型的100000次擦除/编程周期
20年数据保留
软件功能
输入数据格式
-1字节命令代码
高级安全功能
-闭锁保护
BP0-BP3和T/B状态位定义了
要防止编程和擦除的区域
说明。
额外的4K位保护OTP
-具有唯一标识符
-工厂锁定可识别,客户可锁定
自动擦除和自动编程算法
-自动擦除并验证选定位置的数据
部门
-通过内部算法自动对所选页面的数据进行编程和验证,该算法会自动对编程脉冲宽度进行计时(任何页面都可以已编程的页面应处于已擦除状态第一。)
状态寄存器功能
命令重置
程序/擦除暂停
编程/擦除简历
电子身份识别
-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备
身份证件
-1字节设备ID的RES命令
支持串行闪存可发现参数
(SFDP)模式硬件功能
SCLK输入
-串行时钟输入
硅/二氧化硅
-串行数据输入或串行数据输入/输出
2 x I/O模式或4 x I/O的串行数据输入/输出模式SO/SIO1
-串行数据输出或串行数据输入/输出
2 x I/O模式或4 x I/O的串行数据输入/输出模式WP#/SIO2
-硬件写保护或串行数据输入/
4 x I/O模式的输出
保持#/SIO3
-暂停设备而不取消选择4 x I/O模式的设备或串行数据输入/输出
包装
-8针SOP(200mil)
-所有设备均符合RoHS标准,卤素灯
MX25L3236F芯片介绍:
MX25L3236F是32Mb位串行NOR闪存,内部配置为4194304 x 8。当它是在四I/O模式下结构变为8388608位x4。当它处于双I/O模式时,结构变为16777216比特x2。
MX25L3236F具有串行外围接口和软件协议,允许在简单的3线上操作总线,而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过CS#输入启用对设备的串行访问。
MX25L3236F,MXSMIO®(串行多I/O)闪存,在整个芯片上提供顺序读取操作以及多I/O功能。
当它处于四输入/输出模式时,SI引脚、SO引脚、WP#引脚和HOLD#引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。
发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256)执行字节)为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节/64K字节块或整个芯片上执行。
为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态可以发出读取命令,通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。
当设备未运行且CS#为高时,它将进入待机模式。
MX25L3236F采用Macronix专有的存储单元,即使在100000次编程和擦除周期
型号系列:MX25L3236FM2I-08Q;MX25L3236FM2I-08G