MX25L3233FZBI-08G

MX25L3233FZBI-08G芯片介绍： 3V, 32M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

主要特点：保持功能、多I/O支持-单I/O、双I/O和四I/O、自动擦除和自动编程算法、程序暂停/恢复和擦除暂停/恢复

MX25L3233FZBI-08G特点

上将

•支持串行外围接口——模式0和

模式3

•33554432 x 1位结构

或16777216 x 2位（双I/O读取模式）结构

或8388608 x 4位（四I/O模式）结构

•1024个相等的扇区，每个扇区4K字节

-任何扇区都可以单独擦除

•128个相等的块，每个块32K字节

-任何块都可以单独擦除

•64个相等的块，每个块64K字节

-任何块都可以单独擦除

•电源操作

-2.65至3.6伏用于读取、擦除和编程操作

•从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

•支持性能增强模式-XIP

（就地执行）

性能

•高性能

VCC=2.65至3.6V

-正常读取

-50MHz

-快速阅读

-快速阅读、恐惧、阅读：

133MHz，8个虚拟周期

-2读：

104MHz，具有4个虚拟周期，

133MHz，8个虚拟周期

-4读：

104MHz，具有6个虚拟周期，

133MHz，10个虚拟周期

-2READ的可配置虚拟循环数

4READ操作

-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式

•低功耗

•典型的100000次擦除/编程周期

•20年数据保留

主要特点

•输入数据格式

概述

MX25L3233F是32Mb位串行NOR闪存，内部配置为4194304 x 8。当它是在四I/O模式下结构变为8388608位x4。当它处于双I/O模式时，结构变为16777216比特x2。 

MX25L3233F具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线上操作总线，而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

MX25L3233F，MXSMIO®（串行多I/O）闪存，在整个芯片上提供顺序读取操作以及多I/O功能。

当它处于四输入/输出模式时，SI引脚、SO引脚、WP#引脚和HOLD#引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。 

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行字节）为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节/64K字节块或整个芯片上执行。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态可以发出读取命令，通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。

当设备未运行且CS#为高时，它将保持待机模式。

MX25L3233F采用Macronix专有的存储单元，即使在100000个编程和擦除周期。

数据保护

在电源转换期间，可能会出现一些错误的系统级信号，导致无意中擦除或重新编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电期间，状态机将自动重置为待机模式。此外，控制寄存器设备的架构限制了只有在成功完成特定命令序列后才能更改内存内容。 

下面，有几个功能可以保护系统在VCC期间免受意外写入周期的影响通电和断电或系统噪声。

•有效命令长度检查：将检查命令长度是否在字节基础上，是否在字节边界上完成。

•写入启用（WREN）命令：在之前需要WREN命令来设置写入启用锁存位（WEL）其他用于更改数据的命令。 

•深度断电模式：通过进入深度断电模式，闪存设备也会受到保护写入除从深度断电模式释放命令（RDP）和读取电子命令之外的所有命令签名命令（RES）。 

I.闭锁保护

-软件保护模式（SPM）使用（TB、BP3、BP2、BP1、BP0）位来允许部分内存保护为只读。保护区定义如“表1”所示。保护区面积”保护区更灵活，可以通过设置TB、BP0-BP3比特的值来保护各种区域。 

-硬件保护模式（HPM）使用WP#/SIO2保护（BP3、BP2、BP1、BP0、TB）位和SRWD位。