MX25L3233FM2I-08G产品介绍:
MX25L3233F
3V,32M-BIT[x 1/x 2/x 4]
CMOS MXSMIO(串行多输入/输出)
快闪存储器
主要特点
·保持功能
·多I/O支持-单I/O、双I/O和四I/O
·自动擦除和自动编程算法
·程序暂停/恢复和擦除暂停/恢复
1.特点
上将
-1字节命令代码
支持串行外围接口模式0和
·高级安全功能
模式3
-闭锁保护
·33554432 x 1位结构
BPO-BP3和T/B状态位定义了
或16777216 x 2位(双I/O读取模式)串接-
要防止程序和擦除指令的区域-
图雷
IONS。
或8388608 x 4位(四I/O模式)结构
·额外的4K位保护OTP
1024个相等的扇区,每个扇区4K字节
-具有唯一标识符
-任何扇区都可以单独擦除
-工厂锁定可识别,客户可锁定
128个相等的块,每个块32K字节
自动擦除和自动编程算法
-任何块都可以单独擦除
-自动擦除并验证选定位置的数据
64个相等的块,每个块64K字节
部门
-任何块都可以单独擦除
-在选择时自动编程和验证数据-
电源操作
由内部算法自动生成的ed页面
-2.65至3.6伏用于读取、擦除和编程操作-
乘以程序脉冲宽度(任何页面都可以-
操作
grammed应该首先使页面处于擦除状态。)
·从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护
·状态注册功能
·支持性能增强模式-XIP
.命令重置
(就地执行)
·程序/擦除暂停
·程序/擦除简历
性能
·电子识别
高性能
-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备
VCC=2.65至3.6V
身份证件
-正常读取
-1字节设备ID的RES命令
-50MHz
·支持串行闪存可发现参数
-快速阅读
(SFDP)模式
-快速阅读、恐惧、阅读:
133MHz,8个虚拟周期
-所有设备均符合RoHS和卤素标准-
-2读:
自由的
104MHz,具有4个虚拟周期,
133MHz,8个虚拟周期
-4读:
104MHz,具有6个虚拟周期,
133MHz,10个虚拟周期
-2READ的可配置虚拟循环数
4READ操作
-8/16/32/64字节环绕式突发读取模式
·低功耗
·典型的100000次擦除/编程周期
20年数据保留
主要特点
输入数据格式
2.概述
MX25L3233F是32Mb位串行NOR闪存,内部配置为4194304 x 8。当它是在四I/O模式下,结构变为8388608位x4。当它处于双I/O模式时,结构变为16777216比特x2。
MX25L3233F具有串行外围接口和软件协议,允许在简单的3线上操作总线处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过CS#输入启用对设备的串行访问。
MX25L3233F,MXSMIO°(串行多IV/O)闪存,在整个芯片上提供顺序读取操作以及多I/O功能。
当它处于四IO模式时,SI引脚、SO引脚、WP#引脚和HOLD#引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚SiO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。
发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256)执行Ibytes)基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节/64K字节块或整个芯片上执行。
为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态可以发出读取命令以通过WiP位检测编程或擦除操作的完成状态。
当设备未运行且CS#为高时,它将保持待机模式。
Mx25L3233F采用Macronix专有的存储单元,即使在100000个编程和擦除周期。