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MX25V16066M2I02

MX25V16066M2I02
产品型号:MX25V16066M2I02
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:¥1.1
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :16Mbit
电压-电源:2.3V-3.6V
规格封装:SOIC-8-208mil
IC说明书:点击下载
其他介绍

MX25V16066M2I02芯片型号介绍:

MX25V16066

2.3V-3.6V, 16M-BIT [x 1/x 2]

CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O)

FLASH MEMORY

Key Features

· 2.3V-3.6V for Read, Erase and Program Operations

· Multi V/O Support- Single IV/O and Dual I/O

1.特点

上将

状态注册功能

支持串行外围接口-模式0和

电子识别

模式3

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

16777216 x 1位结构或8388608 x 2位

身份证件

(双输出模式)结构

-1字节设备ID的RES命令

相等扇区,每个扇区4K字节,相等块

-REMS命令,用于1字节制造商ID和

每个32K字节,或每个64K字节的相等块

1字节设备ID

-任何块都可以单独擦除

支持串行闪存可发现参数

单电源操作

(SFDP)模式

-工作电压:2.3V-3.6V,用于读取、擦除和

支持唯一ID(请联系当地Macronix

项目运营

销售详情)

从1V到Vcc+1V,锁存保护至10mA

硬件功能

性能

SCLK输入

高性能

-串行时钟输入

-快速阅读

硅/二氧化硅

-11/O:80MHz,带8个虚拟电路

-串行数据输入或串行数据输入/输出2

-11/20:80MHz,具有8个虚拟周期,

x I/O读取模式

相当于160MHz

SO/SI01

-快速编程和擦除时间

-串行数据输出或串行数据输入/输出

低功耗

2 xI/O读取模式

典型的100000次擦除/编程周期

WP#

20年数据保留

-硬件写保护

包裹

软件功能

-8针SOP(150mil)

输入数据格式

-8针SOP(200mil)

-1字节命令代码

-8陆地WSON(6x5mm)

高级安全功能

-8-陆地USON(2x3mm)

-闭锁保护

-所有设备均符合RoHS和卤素标准-

BPO-BP3状态位定义了区域的大小

自由的

对程序进行软件保护

擦除指令

自动擦除与自动编程算法

-自动擦除并验证选定位置的数据

扇区或区块

自动编程和验证数据-

通过内部算法自动选择页面-

ly乘以程序脉冲宽度(任何页面

被编程的页面应处于擦除状态

第一)

2.概述

MX25V16066是16Mb位串行NOR闪存,内部配置为2097152 x 8。

MX25V16066具有串行外围接口和软件协议,允许在简单的3线总线上运行

而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行

数据输出(SO)。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时,SI引脚和SO引脚变为地址/虚拟位的SIO0引脚和SIO1引脚

输入和数据输出。

MX25V16066 MXSMIO(串行多I/O)在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,用于编程/擦除和验证

将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256)执行

以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32KB块(32K字节)或64K字节上执行

以块或整个芯片为基础。

为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取

可以发出命令以通过WiP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能,请参阅安全功能部分

更多细节。

Mx25V16066采用Macronix专有的存储单元,即使在

典型的100000个编程和擦除周期。

image.png

6.数据保护

在电源转换过程中,可能会出现一些错误的系统级信号,导致无意中擦除或

编程。该设备旨在保护自己免受这些意外写入周期的影响。

通电期间,状态机将自动重置为待机模式。此外,控制寄存器

设备的架构限制了内存内容只能在特定命令后更改

序列已成功完成。

在下文中,有几个功能可以保护系统在VCC供电期间免受意外写入周期的影响-

启动和关闭电源或系统噪声。

上电复位:为避免系统电源转换导致电源突然切换,上电复位可能

保护Flash。

有效命令长度检查:将检查命令长度是否以字节为基础并完成

在字节边界上。

写启用(WREN)命令:在之前设置写启用锁存位(WEL)需要WREN命令

发出其他命令以更改数据。

深度断电模式:通过进入深度断电模式,闪存设备受到写入保护

除了切换CS#之外的所有命令。如需了解更多详情,请参见“9-18”。深度断电(DP)”。

高级安全功能:有一些保护和安全功能可以保护内容免受

无意写入和恶意访问。

I.闭锁保护

-软件保护模式(SPM)使用(BP3、BP2、BP1、BPO)位来保护所有要保护的内存部分

作为只读。保护区定义显示为“保护区大小”,保护区更多

其可以通过设置BPO-BP3比特的值来保护各种区域。

-硬件保护模式(HPM)使用WP#/SIO2来保护(BP3、BP2、BP1、BPO)位和状态

寄存器写保护(SRWD)位。如果系统进入四I/O模式,HPM的功能将被禁用。


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