MX25V80066M2I02

MX25V80066M2I02芯片介绍：

2.3V-3.6V, 8M-BIT [x 1/x 2]

CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O)

FLASH MEMORY

Key Features

· 2.3V-3.6V for Read, Erase and Program Operations

. Multi I/O Support - Single I/O and Dual I/O

1.特点

上将

状态注册功能

支持串行外围接口-模式0和

电子识别

模式3

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

8388608 x 1位结构或4194304 x2位

身份证件

（双输出模式）结构

-1字节设备ID的RES命令

相等扇区，每个扇区4K字节，相等块

-REMS命令，用于1字节制造商ID和

每个32K字节，或每个64K字节的相等块

1字节设备ID

-任何块都可以单独擦除

支持串行闪存可发现参数

单电源操作

（SFDP）模式

-工作电压：2.3V-3.6V，用于读取、擦除和

支持唯一ID（请联系当地Macronix

项目运营

销售详情）

从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

硬件功能

性能

SCLK输入

高性能

-串行时钟输入

-快速阅读

硅/二氧化硅

-11/O:80MHz，8个虚拟周期

-串行数据输入或串行数据输入/输出2

-1/20:80MHz，具有8个虚拟周期，

x I/O读取模式

相当于160MHz

SO/SI01

-快速编程和擦除时间

-串行数据输出或串行数据输入/输出

低功耗

2 x I/O读取模式

典型的100000次擦除/编程周期

WP#

20年数据保留

-硬件写保护

包裹

软件功能

-8针SOP（150mil）

输入数据格式

-8针SOP（200mil）

-1字节命令代码

-8-陆地USON（2x3mm）

高级安全功能

-8-land wSON（6x5mm）

-闭锁保护

-所有设备均符合RoHS和卤素标准-

BPO-BP3状态位定义了区域的大小

自由的

对程序进行软件保护

擦除指令

自动擦除与自动编程算法

-自动擦除并验证选定位置的数据

扇区或区块

-自动编程和验证数据-

通过内部算法自动选择页面-

ly乘以程序脉冲宽度（任何页面

被编程的页面应处于擦除状态

第一）

2.概述

MX25V80066是8Mb位串行NOR闪存，内部配置为1048576x8。

MX25v8oo66具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线总线上运行

而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（Sl）和串行

数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为地址/虚拟位的SiO0引脚和SiO1引脚

输入和数据输出。

MX25V80066 MXSMIO°（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证

将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行

以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32KB块（32K字节）或64K字节上执行

例如基于biock或整个芯片。

为了给用户提供方便的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取

可以发出命令，通过WiP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能部分

更多细节。

Mx25v8oo66采用Macronix专有的存储单元，即使在

典型的100000个编程和擦除周期。