MX29GL128FLT2I-90G

产品型号：MX29GL128FLT2I-90G

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：128Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：56 Pin TSOP

说明书：点击下载

产品介绍

MXIC(旺宏电子)MX29GL128FLT2I-90G 3V Parallel NOR Flash芯片型号介绍：

产品特性

基础特性

供电工作范围

读取、擦除、烧录操作工作电压：2.7V～3.6V

MX29GL128F H/L 版本：输入 / 输出电压 = 电源电压 = 2.7V~3.6V，输入 / 输出电压需与电源电压严格匹配

MX29GL128F U/D 版本：输入 / 输出引脚电压范围 1.65V～3.6V

字节 / 字模式可切换

存储规格：16,777,216×8 位 / 8,388,608×16 位

统一扇区架构：单扇区 64 千字 / 128 千字节，共计 128 个均等独立扇区

读取缓存：16 字节 / 8 字页缓存

写入缓存：64 字节 / 32 字高速写入缓存

安全加密专属扇区：额外配置 128 字安全扇区

出厂锁定、状态可识别，支持用户自主锁定

高级扇区保护功能（硬件固化保护 + 密码保护）

锁存防护：-1V～1.5 倍电源电压区间内，可承受最高 100mA 锁存电流

低压写入禁止功能：当电源电压≤低压锁定阈值时，禁止写入操作

符合 JEDEC 行业标准

引脚定义与软件指令兼容单电源架构闪存芯片

深度休眠低功耗模式

性能参数

高性能读写

高速访问时序：

MX29GL128F H/L：70/90 纳秒（电源 2.7~3.6V）

MX29GL128F U/D：90/110 纳秒（电源 2.7~3.6V，IO 电压 1.65V~VCC）

页读取时序：

MX29GL128F H/L：25 纳秒

MX29GL128F U/D：30 纳秒

快速烧录：单字烧录时长 10 微秒

快速擦除：单扇区擦除时长 0.5 秒

低功耗设计

5MHz 工况下，典型读取工作电流：10 毫安

典型待机电流：20 微安

擦写耐久：最少 10 万次擦写循环

数据保存年限：常温下数据可稳定保存 20 年

软件功能

烧录 / 擦除暂停与恢复

可暂停当前扇区擦除，对其他未擦除扇区执行读取或烧录操作

可暂停当前扇区烧录，读取其他非烧录扇区数据

状态反馈机制

数据轮询、电平翻转位，可检测烧录与擦除操作完成状态

兼容通用闪存接口规范（CFI）

硬件特性

就绪 / 忙信号输出（RY/BY#）

硬件引脚实时反馈烧录、擦除工作完成状态

硬件复位输入（RESET#）

硬件强制复位内部状态机，快速切换至读取模式

写保护 / 加速控制引脚（WP#/ACC）

兼具硬件写入保护功能，同时可开启高速烧录加速模式

封装形式（PACKAGE）：

T2: 56-TSOP

XF: LFBGA (11mm x 13mm x 1.4mm, 0.6 ball size, 1.0 ball-pitch)

XG: FBGA (7mm x 9mm x 1.2mm, 0.4 ball size, 0.8 ball-pitch)

MX29GL128FLT2I-90G产品信息订购图

MX29GL128FLT2I-90G引脚封装图

MX29GL128FLT2I-90G功能框图

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