MX29GL256EHT2I-90Q

MXIC(旺宏电子)MX29GL256EHT2I-90Q 3V Parallel NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性

工作电源

读、擦除与编程操作电压：2.7V～3.6V

MX29GL256E H/L：VI/O = VCC = 2.7V～3.6V，I/O 电压必须与 VCC 严格保持一致

MX29GL256E U/D：输入 / 输出端口电压 V/O = 1.65V～3.6V

支持字节 / 字模式切换

存储容量：33,554,432×8 位 / 16,777,216×16 位

统一扇区架构：64K 字 / 128KB

共计 256 个均等扇区

16 字节 / 8 字 页读缓冲

64 字节 / 32 字 写缓冲

额外 128 字安全扇区

支持出厂锁定与唯一识别，支持用户自定义锁定

高级扇区保护功能（硬件保护及密码保护）

抗闩锁保护：-1V～1.5×Vcc 范围内可承受 100mA 电流

低 VCC 写入禁止功能：VCC ≤ VLKO 时禁止写入

兼容 JEDEC 标准

引脚排布及软件协议与单电源 Flash 兼容

深度掉电模式

性能指标

高性能

快速访问时间

MX29GL256E H/L：100ns（VCC=2.7～3.6V），90ns（VCC=3.0～3.6V）

MX29GL256E U/D：110ns（VCC=2.7～3.6V，VIO=1.65V～VCC）

页访问时间

MX29GL256E H/L：25ns

MX29GL256E U/D：30ns

快速编程时间：10μs / 字

快速擦除时间：0.5s / 扇区

低功耗

读操作工作电流：典型值 10mA @ 5MHz

待机电流：典型值 20μA

典型擦写寿命：100,000 次

数据保存时间：20 年

软件特性

编程 / 擦除挂起 & 编程 / 擦除恢复

可暂停扇区擦除操作，对未擦除扇区执行读或编程操作

可暂停扇区编程操作，对未编程扇区执行读操作

状态反馈

通过 Data# 轮询与翻转位检测编程、擦除操作完成状态

支持通用 Flash 接口（CFI）

硬件特性

就绪 / 忙（RY/BY#）输出

通过硬件方式检测编程、擦除操作完成

硬件复位（RESET#）输入

通过硬件方式将内部状态机复位至读模式

WP#/ACC 输入引脚

硬件写保护引脚 / 提供加速编程功能

封装形式（PACKAGE）：

T2:56-TSOP

M: 70SSOP

XF: LFBGA(11mm x 13mm)

XC: FBGA(10mm x 13mm)

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素

图中的每个功能块均对应实际芯片中用于对存储阵列进行访问、擦除、编程及读取操作的一个或多个电路模块。

控制输入逻辑（CONTROL INPUT LOGIC）模块接收片选 CE#、输出使能 OE#、写使能 WE#、复位 RESET#、字节模式 BYTE# 以及写保护 / 加速编程 WP#/ACC 等外部引脚信号，并根据这些输入生成内部时序控制信号，输出至地址锁存与缓冲器（ADDRESS LATCH AND BUFFER），用于锁存外部地址引脚 A0～AM（A23）。内部地址由此模块输出至主存储阵列及由 X 译码器、Y 译码器、Y 传输门和 Flash 阵列构成的译码电路。

X 译码器对 Flash 阵列的字线进行译码，Y 译码器对 Flash 阵列的位线进行译码。位线通过 Y 传输门选择性地与 ** 灵敏放大器（SENSE AMPLIFIER）及编程数据高压模块（PGM DATA HV）** 电气连接。灵敏放大器用于读出 Flash 存储器的存储内容，而编程数据高压模块则在编程期间向位线选择性地施加高压。

输入 / 输出缓冲器（I/O BUFFER）控制 Q0～Q15/A-1 端口的数据输入与输出。在读操作期间，I/O 缓冲器从灵敏放大器获取数据并驱动输出端口。在编程命令的最后一个周期，I/O 缓冲器将 Q0～Q15/A-1 上的数据传输至编程数据锁存器（PROGRAM DATA LATCH），该锁存器控制编程数据高压模块中的高压驱动电路，根据用户输入数据对字或字节中的对应位执行选择性编程。

编程 / 擦除高压（PROGRAM/ERASE HIGH VOLTAGE）模块包含产生所需高压并将其输送至 X 译码器、Flash 阵列及编程数据高压模块的相关电路。逻辑控制模块由写状态机（WSM）、状态寄存器、命令数据译码器及命令数据锁存器组成。当用户通过翻转 WE# 信号发出命令时，Q0～Q15/A-1 上的命令将被锁存至命令数据锁存器，并由命令数据译码器进行译码。状态寄存器接收命令并记录器件当前状态。写状态机根据当前命令状态，通过控制方框图中的各个模块，执行内部编程或擦除算法。