MX66L51235FXDI-10G

MX66L51235F 3V, 512M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX66L51235FXDI-10G 2.5/3V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

概述

支持串行外设接口 —— 模式 0 与模式 3

存储结构：

33,554,432 × 1 位（单线 I/O 模式）

或 16,777,216 × 2 位（双线 I/O 模式）

或 8,388,608 × 4 位（四线 I/O 模式）

均等扇区：每扇区 4KB；均等块：每块 32KB 或 64KB

任意块可独立擦除

单电源供电

工作电压：1.65V–3.6V，适用于读取、擦除及编程操作

抗闩锁保护：在 -1V 至 Vcc+1V 范围内可耐受 100mA 电流

性能

高性能

高速读取（-40°C 至 85°C）：

单线 I/O：80MHz，带 8 个空指令周期

双线 I/O：80MHz，带 4 个空指令周期，等效速率 160MHz

四线 I/O：80MHz，带 2+4 个空指令周期，等效速率 320MHz

快速编程与擦除速度

支持 8/16/32/64 字节环绕式突发读取模式

支持性能增强模式 ——XIP（片内执行）

超低功耗

擦除 / 编程寿命：最少 100,000 次

数据保存时间：20 年

软件特性

输入数据格式：1 字节指令码

高级安全特性：块锁定保护

通过 BP0–BP3 状态位设定受保护区域大小，对编程、擦除指令实现软件保护

额外 8Kbit 安全 OTP 区域

具备唯一识别码

出厂锁定可识别，支持客户自行锁定

自动擦除与自动编程算法

自动对指定扇区或块执行数据擦除与校验

通过内部算法自动对选定页进行数据编程与校验，并自动控制编程脉冲宽度（待编程的页面必须预先处于擦除状态）。

状态寄存器功能指令复位功能编程 / 擦除挂起与编程 / 擦除恢复功能

电子识别功能

JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

RES 指令：读取 1 字节器件 ID

REMS 指令：读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式支持唯一 ID（详情请联系旺宏当地销售）

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入；或在双线 I/O、四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出；或在双线 I/O、四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2

硬件写保护；或在四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

RESET#/SIO3 或 HOLD#/SIO3**

硬件复位引脚；或在四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

或保持功能：在不取消片选的情况下暂停器件工作，或作为四线 I/O 读取模式的串行输入 / 输出

* 注：功能取决于具体型号配置

命令功能

命令复位

编程 / 擦除挂起与恢复操作

电子识别功能

JEDEC 标准：1 字节制造商 ID + 2 字节器件 ID

RES 命令：读取 1 字节器件 ID

REMS 命令：读取 1 字节制造商 ID + 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK：串行时钟输入

SI/SIO0：串行数据输入，或在 2 位 I/O、4 位 I/O 读模式下作为串行数据输入 / 输出

SO/SIO1：串行数据输出，或在 2 位 I/O、4 位 I/O 读模式下作为串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2：硬件写保护引脚，或在 4 位 I/O 读模式下作为串行数据输入 / 输出

DNU/SIO3：保留不用，或在 4 位 I/O 读模式下作为串行数据输入 / 输出

RESET#：硬件复位引脚

封装形式（PACKAGE）

M: 16-SOP(300mil)

Z2:8-WSON (8x6mm)

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

所有器件均符合 RoHS 标准（RoHs Compliant）且不含卤素（Halogen-free）

MX66L51235FXDI-10G NOR Flash芯片介绍：

MX66L51235F 是容量为 512Mb 的串行 NOR Flash 存储器，内部组织结构为 67,108,864 × 8 位。

在双 I/O 或四 I/O 模式下，其结构分别变为 268,435,536 × 2 位 或 134,217,728 × 4 位。

MX66L51235F 具备串行外设接口（SPI）及软件协议，在单 I/O 模式下可通过简易的三线总线进行操作。三路总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）以及串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入信号可使能对芯片的串行访问。

在双 I/O 读模式下，SI 引脚与 SO 引脚分别变为 SIO0 与 SIO1 引脚，用于地址 / 空周期位输入及数据输出。在四 I/O 读模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚及 RESET# 引脚分别变为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3 引脚，用于地址 / 空周期位输入及数据输出。

MX66L51235F 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持对整片芯片执行连续读取操作。

在发送编程 / 擦除指令后，芯片将自动执行编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块进行编程 / 擦除并校验。编程操作可按字节、页（256 字节）或字执行；擦除操作可按扇区（4K 字节）、块（32K 字节）、块（64K 字节）或整片芯片执行。

为方便用户使用，芯片内置状态寄存器用于指示工作状态。可通过发送状态读取指令，利用 WIP 位检测编程或擦除操作是否完成。

芯片提供高级安全特性，增强保护与安全功能，详细说明请参见安全特性章节。

当芯片未处于工作状态且 CS# 为高电平时，芯片进入待机模式。

MX66L51235F 采用旺宏（Macronix）专利存储单元，在经历 100,000 次编程 / 擦除周期后，仍可可靠保存存储内容。