MX25R6435FM2JL0

MX25R6435F-J Grade ULTRA LOW POWER,64M-BIT[x1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO®(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25R6435FM2JL0 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

1. 产品特性

概述

支持串行外设接口 —— 模式 0 与模式 3

存储结构：

67,108,864×1 位（单线 I/O 模式）

或 33,554,432×2 位（双线 I/O 模式）

或 16,777,216×4 位（四线 I/O 模式）

均等扇区：每扇区 4KB 字节

均等块：每块 32KB/64KB 字节

任意块可独立擦除

单电源供电

工作电压：1.65V–3.6V，适用于读取、擦除与编程操作

抗闩锁保护：-1V 至 Vcc+1V 电压范围内耐受 100mA

性能

高性能

高速读取（-40°C 至 85°C）：

单线 I/O：80MHz，8 个空指令周期

双线 I/O：80MHz，4 个空指令周期，等效 160MHz

四线 I/O：80MHz，2+4 个空指令周期，等效 320MHz

快速编程与擦除时间

支持 8/16/32/64 字节环绕式突发读取模式

超低功耗

擦写 / 编程寿命：最少 100,000 次

数据保存时间：20 年

软件特性

输入数据格式：1 字节指令码

高级安全特性：块锁定保护

通过 BP0–BP3 状态位设定受保护区域大小，实现对编程、擦除指令的软件保护

额外 8Kbit 安全 OTP 区域

具备唯一识别码

出厂锁定可识别，支持客户自行锁定

自动擦除与自动编程算法

自动对指定扇区或块执行擦除与校验

内置算法自动控制编程脉冲宽度，对指定页自动编程并校验（待编程页面需先处于擦除状态）

状态寄存器功能

指令复位

编程 / 擦除挂起与编程 / 擦除恢复

电子识别功能

JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

RES 指令：读取 1 字节器件 ID

REMS 指令：读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

支持唯一 ID（详情请联系旺宏当地销售）

硬件特性

SCLK：串行时钟输入

SI/SIO0：串行数据输入；或在双线 / 四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

SO/SIO1：串行数据输出；或在双线 / 四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2：硬件写保护；或在四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

RESET#/SIO3* 或 HOLD#/SIO3*

硬件复位引脚；或在四线 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

或保持功能：在不取消片选的情况下暂停器件工作，或用于四线 I/O 读取模式的串行输入输出

* 功能取决于具体型号配置

封装形式（PACKAGE）

M2: 8-SOP(200mil)

所有器件均符合 RoHS 标准（RoHs Compliant）且不含卤素（Halogen-free）

MX25R6435FM2JL0 芯片介绍：

MX25R6435F 是容量为 64Mb 的串行 NOR 闪存，内部组织结构为 8,388,608×8 位。在四线 I/O 模式下，存储结构可转换为 16,777,216×4 位，或在双线 I/O 模式下为 33,554,432×2 位。

MX25R6435F 采用串行外设接口及软件协议，在单线 I/O 模式下可通过简易三线总线工作。三路总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）。通过片选信号 CS# 使能对芯片的串行访问。

在双线 I/O 读取模式下，SI 引脚与 SO 引脚分别转为 SIO0、SIO1 引脚，用于地址 / 空周期输入及数据输出。在四线 I/O 读取模式下，SI、SO、WP# 以及 RESET#/HOLD# 引脚分别转为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3 引脚，用于地址 / 空周期输入及数据输出。

MX25R6435F 的 MXSMIO™（串行多 I/O）功能支持对整个芯片的连续读取操作。

在发出编程 / 擦除指令后，芯片将自动执行编程 / 擦除算法，对指定页、扇区或块进行编程、擦除并校验。编程操作可按字节、页（256 字节）或字执行。擦除操作可按 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整片芯片执行。

为方便用户使用，芯片内置状态寄存器用于指示工作状态。通过读取状态指令，可利用 WIP 位检测编程或擦除操作是否完成。

高级安全特性可增强保护与安全功能，详细说明请参考安全特性章节。

MX25R6435F 采用旺宏专利存储单元，在经历 100,000 次编程擦除周期后，仍能可靠保存存储数据。