MX68GL1G0FHXFI-11G

MXIC(旺宏电子)MX68GL1G0FHXFI-11G 3V Parallel NOR Flash芯片型号的主要功能：

1. 特性

通用特性

读、擦除、编程操作电压：2.7V～3.6V

支持字节 / 字模式切换

存储容量：134,217,728×8 / 67,108,864×16

64KW/128KB 均匀扇区架构

共 1024 个相等扇区

16 字节 / 8 字 页读缓冲

64 字节 / 32 字 写缓冲

额外 128 字安全扇区

出厂锁定且可识别，支持用户锁定

先进扇区保护功能（硬件保护与密码保护）

符合 JEDEC 标准

引脚与软件兼容单电源 Flash 存储器

性能指标

高性能

快速访问时间：

MX68GL1G0F H/L：110ns（VCC=2.7～3.6V）

MX68GL1G0F U/D：120ns（VCC=2.7～3.6V，VI/O=1.65V～VCC）

页访问时间：

MX68GL1G0F H/L：25ns

MX68GL1G0F U/D：30ns

快速编程时间：10μs / 字

快速擦除时间：0.5s / 扇区

低功耗

低有效读取电流：5MHz 时典型值 10mA

低待机电流：典型值 60μA

擦写 / 编程寿命：最少 100,000 次

数据保存时间：20 年

软件特性

编程 / 擦除挂起 & 编程 / 擦除恢复

状态反馈

通过数据轮询（Data# Polling）与翻转位检测编程、擦除操作完成

支持 通用闪存接口（CFI）

硬件特性

就绪 / 忙信号（RY/BY#）输出

提供硬件方式检测编程与擦除操作完成

硬件复位（RESET#）输入

提供硬件复位内部状态机至读模式

WP#/ACC 输入引脚

硬件写保护引脚 / 提供加速编程功能

封装形式

T2:56-TSOP

XF: LFBGA (11mm x 13mm)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

功能框图展示了该器件的简化架构。框图中的每个功能块，对应实际芯片中用于对存储阵列进行寻址、擦除、编程和读取的一个或多个电路模块。

控制输入逻辑模块接收来自引脚的控制信号：CE#、OE#、WE#、RESET#、BYTE# 和 WP#/ACC。该模块根据输入引脚产生内部时序控制信号，并输出至地址锁存与缓冲器，用于锁存外部地址引脚 A0～AM。内部地址从该模块输出到由 X 译码器、Y 译码器、Y 传输门 以及 Flash 存储阵列 组成的主阵列与译码电路。

X 译码器 用于译码 Flash 阵列的字线。

Y 译码器 用于译码 Flash 阵列的位线。

位线通过 Y 传输门选择性地连接到灵敏放大器和编程数据高压模块。灵敏放大器用于读出 Flash 存储器的存储内容；编程数据高压模块则在编程操作时，选择性地向位线提供高电压。

I/O 缓冲器 控制 Q0～Q15/A−1 引脚的数据输入与输出。在读操作期间，I/O 缓冲器从灵敏放大器接收数据，并驱动输出引脚。在编程指令的最后一个周期，I/O 缓冲器将 Q0～Q15/A−1 上的数据送入编程数据锁存器，该锁存器控制编程数据高压模块中的高压驱动电路，根据用户输入的数据，按字或按字节对相应存储位进行编程。

编程 / 擦除高压产生模块包含产生并向 X 译码器、Flash 阵列及编程数据高压模块提供所需高压的电路。

逻辑控制模块由 写状态机（WSM）、状态寄存器、指令数据译码器 和 指令数据锁存器 组成。当用户通过翻转 WE# 发出指令时，Q0～Q15/A−1 上的指令被锁存到指令数据锁存器，并由指令数据译码器译码。状态寄存器接收指令并记录器件当前状态。写状态机（WSM）根据当前指令状态，通过控制框图中的各个模块，执行内部编程或擦除算法。