MX25L6433F

MX25L6433F 3V,64M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L6433F Serial NOR Flash芯片型号的主要功能：

主要特性

保持功能

支持多种 I/O 接口 —— 单 I/O、双 I/O 和四 I/O

自动擦除与自动编程算法

编程挂起 / 恢复 & 擦除挂起 / 恢复

1. 特性

概述

支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0 和模式 3

存储结构：

67,108,864 × 1 位（单线 I/O）

或 33,554,432 × 2 位（双线 I/O 读模式）

或 16,777,216 × 4 位（四线 I/O 模式）

2048 个相等扇区，每扇区 4K 字节

任意扇区可单独擦除

256 个相等块，每块 32K 字节

任意块可单独擦除

128 个相等块，每块 64K 字节

任意块可单独擦除

电源工作条件

读、擦除、编程操作：2.65–3.6V

抗闩锁保护：-1V 至 Vcc+1V 范围内耐受 100mA

支持性能增强模式 ——XIP 片内执行模式

2. 性能

高性能

工作电压 VCC = 2.65–3.6V

普通读取：50MHz

快速读取：

FAST READ、DREAD、QREAD：133MHz（8 个空周期）

2READ：80MHz（4 个空周期）/ 133MHz（8 个空周期）

4READ：80MHz（6 个空周期）/ 133MHz（10 个空周期）

2READ 和 4READ 操作可配置空周期数

支持 8/16/32/64 字节环绕突发读模式

低功耗特性

典型擦写寿命：100,000 次

数据保存时间：20 年

3. 软件特性

输入数据格式：1 字节指令码

高级安全特性

块锁定保护

通过 BP0–BP3 位和 T/B 状态位定义受保护区域大小，禁止对该区域执行编程与擦除指令

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP）区域

具备唯一标识符（UID）

出厂锁定可识别，支持客户自行锁定

自动擦除与自动编程算法

自动对指定扇区执行擦除并校验

通过内部算法自动控制编程脉冲宽度，对指定页执行编程并校验

（待编程的页必须先处于擦除状态。）

状态寄存器功能

指令复位

编程 / 擦除挂起

编程 / 擦除恢复

电子识别码

JEDEC 标准：1 字节制造商 ID + 2 字节器件 ID

通过 RES 指令读取 1 字节器件 ID

支持 ** 串行闪存可发现参数（SFDP）** 模式

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入；或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出；或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2

硬件写保护；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

HOLD#/SIO3

在不取消片选的情况下暂停器件操作；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

封装型号：

M2:200mil 8-SOP

M: 300mil 16-SOP

ZN: 6x5mm 8-WSON

Z2:8x6mm 8-WSON

XC: 6x8mm 24-TFBGA

ZC:4x4mm 8-XSON

ZB: 4x3mm 8-USON

2. MX25L6433F NOR Flash芯片概述

MX25L6433F 是一款 64Mb 串行 NOR 闪存，内部组织结构为 8,388,608 × 8 位。

四线 I/O 模式下：结构为 16,777,216 × 4 位

双线 I/O 模式下：结构为 33,554,432 × 2 位

MX25L6433F 采用串行外设接口（SPI）与软件协议，在单线 I/O 模式下可通过简易三线总线工作：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）。通过 CS# 片选信号 使能对芯片的串行访问。

MX25L6433F 属于 MXSMIO（串行多 I/O）闪存，支持全芯片连续读取功能及多 I/O 特性。

在四线 I/O 模式下，SI、SO、WP#、HOLD# 引脚分别转为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3，用于地址 / 空周期输入及数据输入输出。

发出编程 / 擦除指令后，芯片将自动执行自动编程 / 擦除算法，对指定页或扇区 / 块进行编程 / 擦除并校验。

编程操作：按字节或按 ** 页（256 字节）** 执行

擦除操作：支持 4K 字节扇区、32K/64K 字节块或整片擦除

为方便用户使用，芯片内置状态寄存器用于指示工作状态。可通过读状态指令，利用 WIP 位 检测编程或擦除操作是否完成。

当芯片未处于工作状态且 CS# 为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25L6433F 采用旺宏（Macronix）专利存储单元，在 10 万次编程 / 擦除周期后仍能可靠保存数据。

MX25L6433F NOR Flash系列相关产品型号：

MX25L6433FM2I-08G

MX25L6433FMI-08G

MX25L6433FZ2I-08G

MX25L6433FZNI-08G

MX25L6433FZBI-08G

MX25L6433FXCI-08G

MX25L6433FM2I-08Q

MX25L6433FMI-08Q

MX25L6433FZNI-08Q

MX25L6433FZCI-08Q

6. 数据保护

在电源切换过程中，系统可能产生错误信号，从而导致意外擦除或编程操作。本器件内置防护机制，可避免此类意外写入。

器件在上电时会自动将状态机复位至待机模式。此外，器件的控制寄存器架构规定：仅当特定指令序列成功执行完成后，方可修改存储器内容。

以下多项功能可防止器件在 VCC 上电、掉电期间或因系统噪声而发生意外写入：

有效指令长度检测检测指令长度是否以字节为单位，并在字节边界处完成。

写使能（WREN）指令执行任何修改数据的指令前，必须先发送 WREN 指令，将 ** 写使能锁存位（WEL）** 置位。

深度掉电模式进入深度掉电模式后，闪存将被写保护，除 ** 退出深度掉电模式指令（RDP）与读电子签名指令（RES）** 外，其余指令均无效。

块锁定保护

软件保护模式（SPM）通过 TB、BP3、BP2、BP1、BP0 位将部分存储器设置为只读保护。保护区域定义详见 “表 1 保护区域大小”。通过配置 TB 与 BP0～BP3 位，可灵活设置多种保护区域。

硬件保护模式（HPM）通过 WP#/SIO2 引脚对 BP3、BP2、BP1、BP0、TB 位以及 SRWD 位进行硬件保护。