MX25L6433FM2I-08G

MX25L6433F 3V,64M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L6433FM2I-08G 串行 NOR 闪存芯片功能：

主要特性

保持功能

支持多种 I/O 接口 —— 单 I/O、双 I/O 和四 I/O

自动擦除与自动编程算法

编程挂起 / 恢复 & 擦除挂起 / 恢复

1. 特性

概述

支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0 和模式 3

存储结构：

67,108,864 × 1 位（单线 I/O）

或 33,554,432 × 2 位（双线 I/O 读模式）

或 16,777,216 × 4 位（四线 I/O 模式）

2048 个相等扇区，每扇区 4K 字节

任意扇区可单独擦除

256 个相等块，每块 32K 字节

任意块可单独擦除

128 个相等块，每块 64K 字节

任意块可单独擦除

电源工作条件

读、擦除、编程操作：2.65–3.6V

抗闩锁保护：-1V 至 Vcc+1V 范围内耐受 100mA

支持性能增强模式 ——XIP 片内执行模式

2. 性能

高性能

工作电压 VCC = 2.65–3.6V

普通读取：50MHz

快速读取：

FAST READ、DREAD、QREAD：133MHz（8 个空周期）

2READ：80MHz（4 个空周期）/ 133MHz（8 个空周期）

4READ：80MHz（6 个空周期）/ 133MHz（10 个空周期）

2READ 和 4READ 操作可配置空周期数

支持 8/16/32/64 字节环绕突发读模式

低功耗特性

典型擦写寿命：100,000 次

数据保存时间：20 年

3. 软件特性

输入数据格式：1 字节指令码

高级安全特性

块锁定保护

通过 BP0–BP3 位和 T/B 状态位定义受保护区域大小，禁止对该区域执行编程与擦除指令

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP）区域

具备唯一标识符（UID）

出厂锁定可识别，支持客户自行锁定

自动擦除与自动编程算法

自动对指定扇区执行擦除并校验

通过内部算法自动控制编程脉冲宽度，对指定页执行编程并校验

（待编程的页必须先处于擦除状态。）

状态寄存器功能

指令复位

编程 / 擦除挂起

编程 / 擦除恢复

电子识别码

JEDEC 标准：1 字节制造商 ID + 2 字节器件 ID

通过 RES 指令读取 1 字节器件 ID

支持 ** 串行闪存可发现参数（SFDP）** 模式

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入；或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出；或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2

硬件写保护；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

HOLD#/SIO3

在不取消片选的情况下暂停器件操作；或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出

封装型号：

M2:200mil 8-SOP

M: 300mil 16-SOP

ZN: 6x5mm 8-WSON

Z2:8x6mm 8-WSON

XC: 6x8mm 24-TFBGA

ZC:4x4mm 8-XSON

ZB: 4x3mm 8-USON

MX25L6433FM2I-08G串行 NOR 闪存芯片描述：

MX25L6433F是64Mb位的串行NOR闪存，其内部配置为8,388,608 x 8。当它处于4个I/O模式时，结构变成16,777,216位x4。当它处于两个I/O模式时，结构变成33,554,432位x2。MX25L6433F具有串行外设接口和软件协议，允许在单I/O模式下在一个简单的三线总线上运行。这三个总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。MX25L6433F，MXSMIO®（串行多I/O）闪存，在整个芯片上提供连续的读取操作和多I/O功能。当它处于四输入/输出模式时，SI脚、SO脚、WP#脚和HOLD#脚变成SIO0脚、SIO1脚、SIO2脚和SIO3脚，用于地址/虚拟位输入和数据输入/输出。在程序/擦除命令发出后，将执行自动程序/擦除算法，这些程序/擦除并验证指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256字节）执行。擦除命令是在4k字节扇区、32k字节/64k字节块或整个芯片基础上执行的。为了给用户提供方便的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。可以发出状态读取命令，以检测程序的完成状态或擦除操作。当设备不运行，CS#较高时，将保持待机状态。MX25L6433F利用了Macronix的专有内存单元，即使经过10万个程序和擦除周期，它也能可靠地存储内存内容。

MX25L6433FM2I-08G串行 NOR 闪存芯片特点：

一般支持串行外设接口——模式0和模式367108864x1位结构或33554432x2位（2I/O读取模式）结构或16777216x4位（4I/O模式）结构2048等部门4K字节-任何部门可以单独删除256等块32K字节-任何块可以单独删除128等64K字节块-任何块可以单独删除电源操作- 2.65-3.6伏读取、擦除和程序操作锁定保护到100 mA-1V到Vcc +1V支持性能增强模式-XIP（就地执行）*性能高性能VCC = 2.65-3.6V -正常读- 50MHz -快速读- FAST_READ，恐惧，QREAD：133兆赫兹8个虚拟周期——2读：80兆赫4假周期，133兆赫兹8假周期——4读：80兆赫6假周期，133兆赫10假周期可配置虚拟周期2读和4读操作- 8/16/32/64字节环绕爆发读模式低功耗典型100000擦除/程序周期20年数据保留*软件功能输入数据格式-1字节命令代码高级安全功能-块锁保护BP0-BP3和T/B状态位定义了被保护区域的大小，以防止程序和指令擦除额外的8K-bit位安全OTP——工厂锁定唯一标识符，和客户锁定自动删除和自动程序算法，自动擦除和验证数据在选定部门自动程序和验证数据在选定的页面的内部算法自动乘以程序脉冲宽度（任何被编程页面应该在删除状态第一。）•状态寄存器功能命令重置程序/擦除暂停程序/擦除恢复电子标识- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID - RES命令的1字节设备ID支持串行Flash可发现参数（SFDP）模式*硬件特性SCLK输入-串行时钟输入SI/SIO0 -串行数据输入或串行数据输入/输出2倍输入/O模式输入/输出或串行数据输入/输出4倍输入/O模式或输出所以/SIO1-串行数据输出或串行数据输入/输出或串行数据输入/输出4倍输入/O模式WP#/SIO2 -硬件写入保护或串行数据输入/输出4倍输入/O模式保持#/SIO3-暂停设备不取消选择设备或串行数据输入/输出4倍输入/O模式