MX25L6435EZNI-10G

MX25L6435E 3V, 64M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L6435EZNI-10G Serial NOR Flash芯片特点：

1. 产品特性

概述

支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0 和模式 3

存储结构：

67,108,864×1 位

或 33,554,432×2 位（双 I/O 模式）

或 16,777,216×4 位（四 I/O 模式）

2048 个等大小扇区，每扇区 4K 字节

可单独擦除任意扇区

256 个等大小块，每块 32K 字节

可单独擦除任意块

128 个等大小块，每块 64K 字节

可单独擦除任意块

电源工作条件

读取、擦除、编程操作：2.7V～3.6V

抗闩锁保护：-1V 至 VCC+1V 电压范围内可承受 100mA

性能

高性能

VCC = 2.7V～3.6V

常规读取：50MHz

快速读取

单 I/O：104MHz，8 个空周期

双 I/O：2READ 指令下 86MHz，4 个空周期

四 I/O：最高 104MHz

四 I/O 读取模式下空周期数可配置

快速编程时间：

0.7ms（典型值）、3ms（最大值）/ 页（每页 256 字节）

字节编程时间：12μs（典型值）

连续编程模式（字编程模式下地址自动递增）

快速擦除时间：

30ms（典型值）/ 扇区（每扇区 4K 字节）；

0.25s（典型值）/ 块（每块 64K 字节）；

20s（典型值）/ 整片

低功耗

工作读取电流：

104MHz 时最大 19mA，

33MHz 时最大 10mA

工作编程电流：15mA（典型值）

工作扇区擦除电流：10mA（典型值）

待机电流：15μA（典型值）

深度掉电电流：1μA（典型值）

擦写寿命：典型 100,000 次

数据保存时间：20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节指令码

高级安全特性

BP0～BP3 块组保护

OTP WPSEL=1 时支持灵活的单块保护

额外 4K 位安全 OTP 区域，用于唯一标识

自动擦除与自动编程算法

自动对指定扇区进行擦除并校验数据

内部算法自动计时编程脉冲宽度，对指定页进行编程并校验（待编程页需预先处于擦除状态）

状态寄存器功能

电子识别

JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

RES 指令：读取 1 字节器件 ID

REMS、REMS2、REMS4 指令：读取 1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK 输入：串行时钟输入

SI/SIO0：串行数据输入；双 I/O、四 I/O 模式下为串行数据输入 / 输出

SO/SIO1：串行数据输出；双 I/O、四 I/O 模式下为串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2：硬件写保护；四 I/O 模式下为串行数据输入 / 输出

HOLD#/SIO3：暂停器件而不取消片选，或在四 I/O 模式下作为串行数据输入 / 输出

封装规格：

M:300mil 16-SOP

M2:200mil 8-SOP

ZN:6x5mm 8-WSON

Z2:8x6mm 8-WSON

XC:6x8mm 24-TFBGA

BB:WLCSP,Ball Diameter 0.30mm

所有器件均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）规范，且为无卤素产品

MX25L6435EZNI-10G Serial NOR Flash芯片概述：

MX25L6435E 是一款 64Mb 串行 NOR 闪存，内部组织结构为 8,388,608 × 8 位。

在双 I/O 或四 I/O 模式下，其存储结构分别变为 33,554,432 × 2 位 或 16,777,216 × 4 位。

MX25L6435E 支持串行外设接口（SPI）及相应软件协议，在单 I/O 模式下可通过简易三线总线工作。

三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可使能对器件的串行访问。

MX25L6435E 属于旺宏 MXSMIO®（串行多 I/O）闪存，支持整片连续读取功能及多 I/O 特性。

在双 I/O 模式下，SI 引脚与 SO 引脚分别转为 SIO0 和 SIO1 引脚，用于地址 / 空周期位输入及数据输出。

在四 I/O 模式下，SI、SO、WP#、HOLD# 引脚分别转为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3 引脚，用于地址 / 空周期位输入及数据输入 / 输出。

发出编程 / 擦除指令后，芯片将自动执行自动编程 / 擦除算法，对指定页、扇区或块执行编程 / 擦除并校验。

编程操作可按字节、页（256 字节） 或在连续编程模式下按字执行；

擦除操作可按扇区（4K 字节）、块（32K/64K 字节） 或整片执行。

为方便用户使用，芯片内置状态寄存器用于指示芯片工作状态。通过读取状态指令，可借助 WIP 位检测编程或擦除操作是否完成。

当器件未处于工作状态且 CS# 为高电平时，芯片进入待机模式。

MX25L6435E 采用旺宏专利存储单元，在经历 10 万次 编程与擦除周期后，仍可可靠保存存储数据。