MX66L1G45GXDI-08G

MX66L1G45G 3V, 1G-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MX66L1G45GXDI-08G 2.5/3V Serial NOR Flash芯片特点：

特性

通用特性

支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的工作电压范围：2.7 - 3.6 伏

协议支持

单路输入 / 输出、双路输入 / 输出及四路输入 / 输出

具备闩锁保护功能，在 - 1 伏至电源电压 + 1 伏范围内可承受 100 毫安电流

低电源电压写禁止范围：2.3 伏 - 2.5 伏

串行外设接口模式下的快速读取

支持最高 166 兆赫兹的时钟频率

支持快速读取、双路读取、双路输入读取、四路读取、四路输入读取指令

支持双倍传输速率模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 —— 片上执行

提供四路外设接口

存储结构可选：4KB 大小均等的扇区，或 32KB/64KB 大小均等的块

任意块均可单独擦除

编程特性

256 字节页缓冲器

四路输入 / 输出页编程，提升编程性能

典型擦除 / 编程寿命：10 万次

数据保存期限：20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节指令代码

高级安全特性

块锁定保护

BP0 - BP3 状态位与测试 / 边界状态位用于定义受保护区域大小，该区域可抵御编程及擦除指令操作

高级扇区保护功能（全盘保护与密码保护）

额外 4K 位加密一次性可编程存储区

具备唯一标识符功能

出厂锁定且可识别，用户可自行锁定

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子识别

1 字节 JEDEC 厂商标识符与 2 字节器件标识符

读取 1 字节器件标识符的 RES 指令

读取 1 字节厂商标识符与 1 字节器件标识符的 REMS 指令

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK（串行时钟输入引脚）

串行时钟信号输入端

SI/SIO0（串行数据输入 / 双向引脚 0）

串行数据输入端；在双线输入 / 输出读取模式及四线输入 / 输出读取模式下作为串行数据双向端口

SO/SIO1（串行数据输出 / 双向引脚 1）

串行数据输出端；在双线输入 / 输出读取模式及四线输入 / 输出读取模式下作为串行数据双向端口

WP#/SIO2（写保护 / 双向引脚 2）

硬件写保护引脚；在四线输入 / 输出读取模式下作为串行数据双向端口（注：# 表示低电平有效）

NC/SIO3（空引脚 / 双向引脚 3）

无连接引脚；在四线输入 / 输出读取模式下作为串行数据双向端口

RESET#（复位引脚）

硬件复位引脚（注：# 表示低电平有效）

封装形式：

M: 16-SOP (300mil) 

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

MX66L1G45GXDI-08G 2.5/3V Serial NOR Flash芯片概述

MX66L1G45G 是一款容量为 1Gb 的串行 NOR 闪存芯片，内部存储架构配置为 134,217,728×8 位。当芯片工作在双线输入 / 输出模式或四线输入 / 输出模式时，存储架构会相应切换为 536,870,912 位 ×2 位或 268,435,456 位 ×4 位。该芯片具备串行外设接口（SPI）及配套软件协议，在单线输入 / 输出模式下，仅需通过简易的三线总线即可实现运行，三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。芯片的串行访问功能由片选引脚（CS#）控制使能（注：# 表示低电平有效）。

在双线输入 / 输出读取模式下，原有的 SI 引脚和 SO 引脚将切换为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出；在四线输入 / 输出读取模式下，SI、SO、WP# 及 NC 引脚会分别切换为 SIO0、SIO1、SIO2 和 SIO3 引脚，实现地址 / 虚拟位输入与数据输出的功能复用。

该芯片搭载旺宏电子（Macronix）专属的串行多输入 / 输出（MXSMIO™）技术，支持全芯片顺序读取操作。当发出编程 / 擦除指令后，芯片会自动执行编程 / 擦除算法，完成对指定页、扇区或块的编程 / 擦除操作，并进行数据校验。编程操作支持按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除操作则支持 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整片擦除多种方式。

为方便用户进行接口适配，芯片内置状态寄存器用于反馈工作状态。用户可发送状态读取指令，通过忙状态位（WIP）实时监测编程或擦除操作的完成情况。

芯片集成增强型高级安全保护功能，具体细节可参考安全特性章节。当芯片无操作且片选引脚（CS#）为高电平时，将自动进入待机模式。

MX66L1G45G 采用旺宏电子专利存储单元技术，即便经过 100,000 次编程 / 擦除循环后，仍可稳定保存存储数据。

数据保护

在电源切换过程中，系统可能会产生异常信号，进而导致芯片发生误擦除或误编程操作。本器件在设计时已融入自我保护机制，可有效规避此类意外写入行为。

上电时，器件的状态机将自动复位至待机模式。此外，器件的控制寄存器架构设有严格约束：仅当特定指令序列执行成功后，存储内容才允许被修改。

针对电源上电、掉电阶段或系统噪声引发的意外写入风险，器件具备以下多重防护特性：

有效指令长度校验：对指令长度进行校验，确保指令以字节为单位，且在字节边界上完成传输执行。

写使能（WREN）指令：执行任何可能修改数据的指令前，必须先发送写使能指令（WREN），使写使能锁存位（WEL）置位。

深度掉电模式：进入深度掉电模式后，器件将启动写入保护。此时除深度掉电唤醒指令（RDP）、读取电子签名指令（RES）及软复位指令外，所有其他写入指令均被屏蔽。

高级安全特性：内置多重防护与安全机制，既能防止存储内容因误操作被改写，也能抵御恶意访问行为。