MX25R1635FM2IH2

MX25R1635F ULTRA LOW POWER, 16M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MX25R1635FM2IH2 NOR FLASH 芯片特性:

超低功耗 16 兆位 [x1/x2/x4] 互补金属氧化物半导体（CMOS）MXSMIO®（串行多输入 / 输出）闪存存储器

通用特性

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）—— 模式 0 和模式 3

有三种存储结构：16,777,216×1 位结构、8,388,608×2 位（双输入 / 输出模式）结构、4,194,304×4 位（四输入 / 输出模式）结构

包含多种等容量存储单元：每扇区 4 千字节（4K byte）、每块 32 千字节（32K byte）或每块 64 千字节（64K byte）

任意块均可单独擦除

单电源供电

工作电压：读取、擦除和编程操作时为 1.65V-3.6V

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100 毫安（mA）电流性能特性

高性能

快速读取

1 输入 / 输出：80 兆赫兹（MHz），含 8 个虚拟周期

2 输入 / 输出：80 兆赫兹（MHz），含 4 个虚拟周期，等效于 160 兆赫兹（MHz）

4 输入 / 输出：80 兆赫兹（MHz），含 2+4 个虚拟周期，等效于 320 兆赫兹（MHz）

快速编程与擦除时间

支持 8/16/32/64 字节回绕突发读取模式（Wrap-Around Burst Read Mode）

超低功耗

最少 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保持期

软件特性

输入数据格式

1 字节（byte）命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 状态位用于定义受软件保护的区域范围，防止该区域被执行编程和擦除指令

额外 8 千位（8K bits）安全一次性可编程（OTP）存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定标识符，用户可对存储区进行锁定

自动擦除与自动编程算法

可通过内部算法自动对选定扇区或块执行擦除并验证数据

可通过内部算法自动对选定页面执行编程并验证数据（该算法会自动控制编程脉冲宽度）（注：待编程的页面需先处于擦除状态）

状态寄存器功能

命令复位功能

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复功能

电子标识

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持 RES 命令，可读取 1 字节器件 ID

支持 REMS 命令，可读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

支持唯一标识符（Unique ID）

硬件特性:

・串行时钟输入（SCLK Input）

串行时钟输入端

・串行数据输入 / 串行输入输出 0（SI/SIO0）

串行数据输入端；或在 2 路输入 / 输出（2 x I/O）读取模式与 4 路输入 / 输出（4 x I/O）读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端

・串行数据输出 / 串行输入输出 1（SO/SIO1）

串行数据输出端；或在 2 路输入 / 输出（2 x I/O）读取模式与 4 路输入 / 输出（4 x I/O）读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端

・写保护 / 串行输入输出 2（WP#/SIO2）

硬件写保护端；或在 4 路输入 / 输出（4 x I/O）读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端

・复位 / 串行输入输出 3（RESET#/SIO3）* 或 保持 / 串行输入输出 3（HOLD#/SIO3）*

硬件复位引脚；或在 4 路输入 / 输出（4 x I/O）读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端

或

保持（HOLD）功能：可暂停器件工作，且无需取消选中该器件；或在 4 路输入 / 输出（4 x I/O）读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端

取决于具体型号选项

封装：

8-pin SOP (150mil/200mil)

8-land USON (2x3mm)

8-land WSON (6x5mm)

12-ball WLCSP (3-2-3 Ball Array)

MX25R1635FM2IH2产品概述：

MX25R1635FM2IH2是一款 16 兆位（16Mb）串行 NOR 闪存，其内部结构配置为 2,097,152×8 位。当工作在四输入 / 输出（4 I/O）模式时，其结构可变为 4,194,304 位 ×4 或 8,388,608 位 ×2。MX25R1635FM2IH2具备串行外设接口（SPI）和软件协议，在单输入 / 输出（1 I/O）模式下，仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作，这三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双输入 / 输出（2 I/O）读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚将分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出；当工作在四输入 / 输出（4 I/O）读取模式时，SI 引脚、SO 引脚、写保护引脚（WP#）以及复位 / 保持引脚（RESET#/HOLD#）将分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出。

MX25R1635FM2IH2采用的 MXSMIO®（串行多输入 / 输出）技术，支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后，器件将执行自动编程 / 擦除算法，该算法会对指定页面或扇区 / 块地址进行编程 / 擦除操作，并对操作结果进行验证。编程命令可按字节、按页面（256 字节）或按字执行；擦除命令可按 4 千字节（4K-byte）扇区、32 千字节（32K-byte）块、64 千字节（64K-byte）块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片的工作状态。通过发送状态读取命令，可借助忙状态位（WIP bit）检测编程或擦除操作的完成状态。

该器件还具备增强型高级安全特性，可提升数据保护与安全防护功能，更多详情请参考 “安全特性” 章节。

MX25R1635FM2IH2采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。