MX29F400CBMI-90

MX29F400C T/B 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] SINGLE VOLTAGE 5V ONLY FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX29F400CBMI-90 5V Parallel NOR Flash芯片型号介绍：

一、通用特性

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的供电电压范围：4.5 - 5.5 伏

可切换为 524,288 × 8 或 262,144 × 16 存储架构（注：524,288×8 表示 524288 个 8 位存储单元，总容量 4MB；262144×16 表示 262144 个 16 位存储单元，总容量同样为 4MB）

引导扇区架构

T = 顶部引导扇区

B = 底部引导扇区

扇区结构

1 个 16KB（千字节）扇区、2 个 8KB 扇区、1 个 32KB 扇区和 7 个 64KB 扇区（注：总容量计算为 16 + 8×2 + 32 + 64×7 = 16 + 16 + 32 + 448 = 512KB，此处需注意与前文 4MB 存储容量的匹配性，可能存在单位表述或架构切换的对应关系，具体需结合芯片完整规格）

扇区保护

硬件保护方式：可禁止任意组合扇区的编程或擦除操作

临时解除扇区保护：允许对之前已锁定的扇区进行代码修改

闩锁保护：在 -1V 至 Vcc + 1V 电压范围内，可承受 100mA 电流（注：闩锁是半导体器件的一种故障状态，此特性可防止芯片因闩锁损坏）

兼容 JEDEC 标准（注：JEDEC 是电子元件工业协会，其标准确保不同厂商器件的兼容性）

引脚分布和软件均兼容单电源闪存（Flash）

二、性能特性

高性能

访问时间：70/90 纳秒（ns）（注：访问时间指从发出读取请求到获取数据的时间，数值越小性能越强）

字节 / 字编程时间：典型值为 9 微秒（μs）/11 微秒（注：编程时间指将数据写入芯片的时间，典型值代表常规工况下的平均水平）

擦除时间：典型值为每个扇区 0.7 秒（s），整片擦除 4 秒

低功耗

低工作读取电流：在 5MHz 工作频率下，最大值为 40mA（注：工作电流指芯片正常运行时的耗电电流，数值越小功耗越低）

低待机电流：典型值为 1 微安（μA）（注：待机电流指芯片未进行读写操作时的耗电电流，微安级电流可大幅降低设备休眠时的功耗）

擦除 / 编程循环次数：最少 100,000 次（注：此为芯片的耐用性指标，循环次数越多，使用寿命越长）

数据保留时间：20 年（注：指芯片在断电后仍能保持存储数据的时间）

三、软件特性

擦除暂停 / 擦除恢复

功能：在执行扇区擦除操作时，可暂停擦除过程，对未处于擦除状态的其他扇区进行数据读取或编程操作（注：此功能提升了芯片操作的灵活性，无需等待整片擦除完成即可处理其他扇区数据）

状态反馈

数据轮询（Data# Polling）和触发位（Toggle bits）：可用于检测编程和擦除操作是否完成（注：通过读取特定引脚或寄存器状态，判断操作进度，避免无效等待或操作冲突）

四、硬件特性

就绪 / 忙（Ready/Busy#，简称 RY/BY#）输出引脚

功能：通过硬件方式检测编程和擦除操作的完成状态（注：引脚输出特定电平表示操作 “就绪” 或 “忙碌”，便于外部控制器同步操作时序）

硬件复位（RESET#）输入引脚

功能：通过硬件方式将内部状态机复位至读取模式（注：复位可恢复芯片初始状态，用于故障恢复或重新初始化操作）

封装形式（PACKAGE）

44-Pin SOP

48-Pin TSOP

所有封装产品均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。