MX29F800C T/B 8M-BIT [1024K x 8 / 512K x 16] SINGLE VOLTAGE 5V ONLY FLASH MEMORY
    MXIC(旺宏电子)MX29F800CBTI-70G 5V Parallel NOR Flash芯片型号介绍:
    一、通用特性
    单电源供电运行
    读取、擦除和编程操作电压:4.5 至 5.5 伏
    可切换为 1,048,576×8 位 / 524,288×16 位(存储架构)
    引导扇区架构
    T = 顶部引导扇区
    B = 底部引导扇区
    扇区结构
    1 个 16 千字节扇区、2 个 8 千字节扇区、1 个 32 千字节扇区和 15 个 64 千字节扇区
    扇区保护
    采用硬件方式,可禁止对任意组合的扇区执行编程或擦除操作
    临时解除扇区保护,允许对之前已锁定的扇区进行代码修改
    具备闩锁保护功能:在 - 1 伏至 Vcc+1 伏电压范围内,可承受 100 毫安电流
    兼容 JEDEC 标准
    引脚分布和软件均兼容单电源闪存
    二、性能特性
    高性能
    访问时间:70 纳秒
    字节 / 字编程时间:典型值为 9 微秒 / 11 微秒
    擦除时间:典型值为每扇区 0.7 秒,整片 8 秒
    低功耗
    低活动读取电流:5 兆赫兹下最大为 40 毫安
    低待机电流:典型值为 1 微安
    最少 10 万次擦除 / 编程循环
    20 年数据保存期
    三、软件特性
    擦除暂停 / 擦除恢复
    暂停扇区擦除操作,以便从未被擦除的其他扇区读取数据或向其编程数据
    状态反馈
    数据 #轮询(Data# Polling)和切换位(Toggle bits)可用于检测编程和擦除操作的完成状态
    四、硬件特性
    就绪 / 忙 #(RY/BY#)输出端
    提供硬件方式以检测编程和擦除操作的完成状态
    硬件复位(RESET#)输入端
    提供硬件方式以将内部状态机复位至读取模式
    封装形式(PACKAGE)
    44-Pin SOP
    48-Pin TSOP
    48-Ball LFBGA (6x8mm)
    所有封装产品均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)要求,且不含卤素。
     
    