MX29F800C T/B 8M-BIT [1024K x 8 / 512K x 16] SINGLE VOLTAGE 5V ONLY FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX29F800CBMI-70G 5V Parallel NOR Flash芯片型号介绍:
一、通用特性
单电源供电运行
读取、擦除和编程操作电压:4.5 至 5.5 伏
可切换为 1,048,576×8 位 / 524,288×16 位(存储架构)
引导扇区架构
T = 顶部引导扇区
B = 底部引导扇区
扇区结构
1 个 16 千字节扇区、2 个 8 千字节扇区、1 个 32 千字节扇区和 15 个 64 千字节扇区
扇区保护
采用硬件方式,可禁止对任意组合的扇区执行编程或擦除操作
临时解除扇区保护,允许对之前已锁定的扇区进行代码修改
具备闩锁保护功能:在 - 1 伏至 Vcc+1 伏电压范围内,可承受 100 毫安电流
兼容 JEDEC 标准
引脚分布和软件均兼容单电源闪存
二、性能特性
高性能
访问时间:70 纳秒
字节 / 字编程时间:典型值为 9 微秒 / 11 微秒
擦除时间:典型值为每扇区 0.7 秒,整片 8 秒
低功耗
低活动读取电流:5 兆赫兹下最大为 40 毫安
低待机电流:典型值为 1 微安
最少 10 万次擦除 / 编程循环
20 年数据保存期
三、软件特性
擦除暂停 / 擦除恢复
暂停扇区擦除操作,以便从未被擦除的其他扇区读取数据或向其编程数据
状态反馈
数据 #轮询(Data# Polling)和切换位(Toggle bits)可用于检测编程和擦除操作的完成状态
四、硬件特性
就绪 / 忙 #(RY/BY#)输出端
提供硬件方式以检测编程和擦除操作的完成状态
硬件复位(RESET#)输入端
提供硬件方式以将内部状态机复位至读取模式
封装形式(PACKAGE)
44-Pin SOP
48-Pin TSOP
48-Ball LFBGA (6x8mm)
所有封装产品均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)要求,且不含卤素。

