MX35UF1GE4AC-XDI

1.8V, 1G/2G-bit Serial NAND Flash Memory MX35UFxGE4AC

MXIC(旺宏电子)MX35UF1GE4AC-XDI Serial NAND Flash 闪存芯片型号介绍：

1. 特性（FEATURES）

・1Gb/2Gb 串行闪存（Serial Flash）

总线（Bus）：x4

页大小（Page size）：(2048+64) 字节（byte）

块大小（Block size）：(128K+4K) 字节（byte）（注：1K=1024 字节）

・快速读取访问（Fast Read Access）

支持 x1、x2 及 x4 模式下的随机数据读出，对应时序为（1-1-1、1-1-2、1-1-4、1-2-2、1-4-4）（参见注释 1，Note 1）

存储阵列到寄存器的延迟（Latency of array to register）：80 微秒（us）

频率（Frequency）：104 兆赫兹（MHz）

支持连续读取（Continuous read supported）

・页编程操作（Page Program Operation）

页编程时间（Page program time）：典型值（typ.）360 微秒（us）

・块擦除操作（Block Erase Operation）

块擦除时间（Block erase time）：典型值（typ.）1 毫秒（ms）

・单电压供电操作（Single Voltage Operation）：

电源电压（VCC）：1.7 至 1.95 伏特（V）

・用于块组保护的块保护（BP）位（BP bits for block group protection）

・唯一标识读取（Unique ID Read）：支持读取芯片唯一标识信息

・低功耗（Low Power Dissipation）

最大（Max）工作电流（Active current）：40 毫安（mA）（适用于读 / 编程 / 擦除操作，Read/Program/Erase）

・待机模式（Standby Mode）

最大（Max）待机电流（standby current）：110 微安（uA）

・高可靠性（High Reliability）

编程 / 擦除耐久性（Program / Erase Endurance）：典型值（Typical）10 万次（100K）循环（在每 (512+16) 字节对应 4 位纠错码（ECC）的条件下）

支持用户灵活设置纠错码（ECC）位翻转阈值（Flexible ECC Bit Flip Threshold Setting by user）

数据保留期（Data Retention）：10 年（years）

・支持坏块表（BBM Table，Bad Block Table）：可通过坏块表高效管理存储坏块

・宽温度工作范围（Wide Temperature Operating Range）

温度范围：-40°C 至 85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 8-WSON (8mm x 6mm)

2) 24-Ball BGA (6x8mm, 5x5 ball array)

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX35UF1GE4AC-XDI SLC NAND Flash闪存芯片介绍：

MX35UFxGE4AC 是一款采用串行接口（Serial interface）、工作电压为 1.8V 的 1Gb/2Gb 容量单级单元（SLC）NAND 闪存（NAND Flash memory）器件，同时具备多项特殊功能，例如：连续读取（Continuous read）、支持坏块管理表（Bad Block Management table）、用户可灵活设置纠错码（ECC）位翻转阈值（Flexible ECC Bit Flip Threshold Setting）、支持读取纠错码警告页地址（Read ECC warning page address，适用于连续读取模式）。

该器件的存储阵列（memory array）采用了与并行 NAND 闪存相同的单元架构（cell architecture），同时实现了业界标准的串行接口。

芯片内部集成了 4 位纠错码（ECC）逻辑，默认处于使能状态。可通过指令禁用或重新使能内部纠错码功能：当内部 4 位纠错码逻辑被禁用时，需由主机端（host side）的微控制器（micro controller）处理 4 位纠错码相关操作。

该器件支持常规读取模式（conventional read mode）与连续读取模式（continuous read modes），具体工作模式由配置寄存器中的 “CONT” 位控制：

若配置寄存器 “CONT” 位 = 0，器件将工作在常规读取模式下，此时用户必须发送页读取指令（page read command），否则无法跨页读取数据；

若配置寄存器 “CONT” 位 = 1，器件将工作在连续读取模式下，此时用户无需发送下一页读取指令，即可跨页边界读取连续的页数据。

为降低用户使用复杂度，该器件提供 40 条坏块管理（BBM，Bad Block Management）链路。这些链路可提供连续的好块（good blocks），从而减少软件设计工作量并提升读取吞吐量（read throughput）。此外，用户可通过为单个块分配多条坏块管理链路进行块替换，以提升该单个块的编程 / 擦除（P/E，Program/Erase）耐久性周期：例如，为单个块分配两条坏块管理链路进行替换，可使该块的编程 / 擦除周期翻倍；分配三条坏块管理链路，则可使该块的编程 / 擦除周期提升至原来的三倍，以此类推。