MX35UF2G24AD-Z4I8

产品型号：MX35UF2G24AD-Z4I8

制造商：MXIC(旺宏电子)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Gbit

电压-电源：1.7V-1.95V

规格封装：8-WSON

说明书：点击下载

产品介绍

1.8V, 1G-bit/2G-bit/4G-bit Serial NAND Flash Memory MX35UFxG24AD

MXIC(旺宏电子)MX35UF2G24AD-Z4I8 Serial NAND Flash 闪存芯片型号介绍：

1. 特性

・1Gb/2Gb/4Gb 单阶存储单元（SLC）NAND 闪存

总线：x4

1Gb/2Gb 版本：

页大小：（2048+128）字节

块大小：（128K+8K）字节

4Gb 版本：

页大小：（4096+256）字节

块大小：（256K+16K）字节

・列地址的平面选择位要求（2Gb/4Gb 版本）（注 3）

无需平面选择位的型号：

MX35UF2G(4G)24AD-Z4I8、MX35UF1G24AD-Z4I

需平面选择位的型号：

MX35UF2G(4G)24AD-Z4I

・需支持 8 位纠错码（ECC）/544 字节

・快速读取访问

支持 x1、x2 及 x4 模式下的数据读取（1-1-1、1-1-2、1-1-4、1-2-2、1-4-4）（注 1）

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

频率：166MHz（当 1-2-2 和 1-4-4 读取模式下频率高于 108MHz 时，DC 位需设为 1）

・页编程操作

页编程时间：典型值 320 微秒（μs）

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 4 毫秒（ms）

・单电压供电

供电电压（VCC）：1.7~1.95 伏（V）

・用于块组保护的 BP 位

・支持读取具有物理不可克隆功能（PUF）类型编码结构的唯一标识符

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 30 毫安（mA）

・休眠模式

待机电流：最大 50 微安（μA）

・深度掉电模式

电流：最大 15 微安（μA）

・高可靠性

随机数发生器（默认禁用）：可通过 “设置特性”（Set Feature）指令启用

用于数据恢复的特殊读取功能：可通过 “设置特性”（Set Feature）指令启用

编程 / 擦除寿命：每（512+32）字节数据搭配 8 位纠错码（ECC）时，典型值为 6 万次循环

数据保留期：10 年（注 2）

・宽工作温度范围-40°C ~ +85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 8-WSON (8mm x 6mm)

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX35UF2G24AD-Z4I8 串行 NAND 闪存芯片介绍：

MX35UFxG24AD 是一款采用串行接口的 1Gb/2Gb/4Gb 单阶存储单元（SLC）NAND 闪存器件。

该器件的存储阵列采用与并行 NAND 闪存相同的单元架构，同时配备了行业标准的串行接口。

此器件要求主机端的微控制器支持每 544 字节数据配备 8 位纠错码（ECC）的操作（即 8 位 ECC/544 字节）。

MX35UF2G24AD-Z4I8逻辑框图

MX35UF2G24AD-Z4I8引脚图

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