MX25UM25345GBEI00

MX25UM25345G 1.8V 256M-BIT[x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX25UM25345GBEI00 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性

支持串行外设接口（SPI）- 模式 0

单电源供电

读写、擦除及编程操作的供电电压为 1.65-2.0 伏

协议支持

单 I/O 和八 I/O

支持单传输速率（STR）和双倍传输速率（DTR）模式

高频支持

支持的时钟频率上限：

单 I/O 模式：133MHz

八 I/O 模式：200MHz

可配置八 I/O（OPI）读取操作的虚拟周期

支持八线外设接口（OPI）

存储分区：支持所有扇区均为 4K 字节，或所有块均为 64K 字节

任意块均可单独擦除

编程特性：

256 字节页缓冲器

八 I/O 页编程，提升编程性能

擦除 / 编程周期：典型值为 100,000 次

数据保留期：20 年

软件特性

输入数据格式

SPI：1 字节命令码

OPI：2 字节命令码

双八 I/O（DOPI）输出数据格式：字节模式数据序列

高级安全特性

块锁定保护：BPO-BP3 和 T/B 状态位定义受保护区域的大小，该区域可防止编程和擦除指令操作

高级扇区保护（固定保护和密码保护）

额外的 8K 位一次性可编程（OTP）安全存储区

具备独特标识符功能

出厂锁定可识别，且支持客户锁定

命令复位功能

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子标识

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK（时钟输入引脚）：串行时钟输入端

SIO0-SIO7（串行输入 / 输出引脚组）：串行数据输入端或串行数据输出端

DQS（数据选通引脚）：数据选通信号端

RESET#（复位引脚）：硬件复位端

封装类型

M:16-SOP (300mil)

XD:24-Ball BGA(5x5 ball array)

BE:49-Ball WLCSP 

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素

MX25UM25345GBEI00产品概述

MX25UM25345G 是一款 256 兆位（256Mb）的八线接口串行 NOR 闪存，其内部配置为 33,554,432×8 位结构。MX25UM25345G 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线进行操作。这三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS##）输入可实现对器件的串行访问。

MX25UM25345G 八线闪存支持对整个芯片进行连续读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后，器件会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或字为单位执行；擦除命令可按扇区（4K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片为单位执行。

为方便用户进行接口操作，器件内置状态寄存器以指示芯片状态。可通过发送状态读取命令，借助忙标志位（原文 “wpbi” 推测为 “WIP bit”，即写操作进行标志位）检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件不工作且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25UM25345G 采用旺宏（Macronix）专有存储单元技术，即便经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。