MX25U25645GXDI00

MX25U25645G 1.8V, 256M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U25645GXDI00 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）—— 模式 0 和模式 3

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的供电电压为 1.65 至 2.0 伏

256Mb 存储容量：可采用 268,435,456×1 位结构、134,217,728×2 位（双 I/O 模式）结构或 67,108,864×4 位（四 I/O 模式）结构

协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O 协议

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

SPI 模式下支持快速读取

支持最高 166MHz 的快速时钟频率

支持快速读取（Fast Read）、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持双倍传输速率（DTR，Double Transfer Rate）模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 —— 片上执行（XIP，execute-in-place）

提供四外设接口（QPI，Quad Peripheral Interface）

存储结构可选：均为 4K 字节的扇区、均为 32K 字节的块或均为 64K 字节的块

任意块均可单独擦除

编程特性：

256 字节页缓冲器

支持四输入 / 输出页编程（4PP，Quad Input/Output Page Program），以提升编程性能

典型擦除 / 编程周期为 100,000 次

数据保留期为 20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位用于定义受保护区域的大小，该区域可抵御编程和擦除指令的操作

高级扇区保护功能

额外的 8K 位一次性可编程（OTP，One-Time Programmable）安全存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定且可识别，用户可进一步锁定

1.8V 256M 位 [x1/x2/x4] 互补金属氧化物半导体（CMOS）MXSMIO（串行多 I/O）闪存

命令复位功能

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子标识

符合 JEDEC 标准的 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持 RES 指令，可读取 1 字节器件 ID

支持 REMS 指令，可读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

硬件特性

SCLK 输入引脚

串行时钟输入引脚

SI/SIO0 引脚

串行数据输入引脚；在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

SO/SIO1 引脚

串行数据输出引脚；在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

WP#/SIO2 引脚

硬件写保护引脚；在 4×I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

RESET# 引脚

硬件复位引脚

RESET#/SIO3或 NC/SIO3引脚

硬件复位引脚；或在 4×I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

或无连接（NC，No Connection）；或在 4×I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

具体功能取决于器件型号选项

封装类型

M: 16-SOP (300mil) 

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array) 

Z4: 8-WSON (8x6mm, 3.4 x 4.3 EP) 

GA: 8-WLGA (6x5mm) 

BF: 48-Ball WLCSP

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素

MX25U25645GXDI00产品概述

MX25U25645G 是一款容量为 256Mb（兆位）的串行 NOR 闪存，其内部结构配置为 33,554,432×8 位。当工作在双 I/O 模式或四 I/O 模式时，其结构会分别变为 134,217,728 位 ×2 位或 67,108,864 位 ×4 位。

MX25U25645G 具备串行外设接口（SPI）和专用软件协议，在单 I/O 模式下，仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入，可使器件启用串行访问功能。

工作在双 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚会分别切换为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出。

工作在四 I/O 读取模式时，SI 引脚、SO 引脚、写保护引脚（WP#）和复位引脚（RESET#）会分别切换为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出。

该 MX25U25645G 芯片采用 MXSMIO（串行多 I/O）技术，支持对整个芯片进行连续读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件会自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定的页或扇区 / 块地址进行编程 / 擦除操作，并对操作结果进行校验。其中：

编程命令的执行单位可选择字节、页（256 字节）或字；

擦除命令的执行单位可选择扇区（4K 字节）、块（32K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片当前的工作状态。用户可发送状态读取命令，通过 “写操作进行中”（WIP）位来判断编程或擦除操作是否完成。

该芯片还具备增强型高级安全特性，可进一步提升数据保护与安全防护能力，详细信息请参见 “安全特性” 章节。

当器件未处于工作状态且片选信号（CS#）为高电平时，芯片将进入待机模式。

MX25U25645G 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。