MX25U25673GMI40

MX25U25673G 1.8V, 256M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U25673GMI40 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性（GENERAL）

额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储

支持串行外设接口（SPI）- 模式 0 和模式 3

具备唯一标识符

出厂时锁定且可识别，用户可锁定

单电源供电运行

命令复位功能

读取、擦除和编程操作的电压范围为 0.65 至 2.0 伏

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子标识功能

256Mb 存储容量：有 268,435,456×1 位、134,217,728×2 位（双 I/O 模式）、67,108,864×4 位（四 I/O 模式）三种结构

符合 JEDEC 标准的 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

用于读取 1 字节器件 ID 的 RES 命令

用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID 的 REMS 命令

协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O 模式

抗闩锁保护：在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

支持 SPI 模式下的快速读取

支持快速读取（Fast Read）、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持最高 166MHz 的快速时钟频率

支持双倍传输速率（DTR）模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 —— 片上执行（XIP）

支持四外设接口（QPI）

四使能位（QE 位）永久固定；QE=1，四 I/O 模式始终启用

存储结构：每个扇区 4K 字节，或每个块 32K 字节，或每个块 64K 字节

可对任意块单独进行擦除

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

SCLK 输入（串行时钟输入）

SI/SIO0（串行数据输入，或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出）

SO/SIO1（串行数据输出，或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出）

SIO2（在 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出）

SIO3（在 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出）

RESET#（硬件复位引脚）

编程特性：

256 字节页缓冲器

四输入 / 输出页编程（4PP），以提升编程性能

典型擦除 / 编程周期：100,000 次

数据保留时间：20 年

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

输入数据格式

1 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护

BPO-BP3 和 T/B 状态位用于定义受保护区域的大小，该区域可防止执行编程和擦除指令

高级扇区保护功能

封装（PACKAGE）

M: 16-SOP (300mil)

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

Z4: 8-WSON (8x6mm,3.4 x 4.3 EP)

所有器件均符合 RoHS 标准且不含卤素（RoHS Compliant and Halogen-free）

MX25U25673GMI40产品概述

MX25UM25645G 是一款 256 兆位（Mb）八通道接口串行 NOR 闪存，其内部配置为 33,554,432×8（存储阵列）。该器件具备串行外设接口（SPI）和软件协议，在单输入 / 输出（Single I/O）模式下，可通过简单的三线总线运行。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入，可启用对该器件的串行访问。

MX25UM25645G 这款八通道闪存支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件将执行自动编程 / 擦除算法，该算法会对指定的页或扇区 / 块地址进行编程 / 擦除操作，并完成校验。编程命令可按字节、按页（256 字节）或按字（word）执行；擦除命令可按扇区（4 千字节）、按块（64 千字节）或对整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置状态寄存器，用于指示芯片当前状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写忙”（WIP）位检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件未处于运行状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25UM25645G 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程与擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。