MX25UM25645GMI00

MX25UM25645G 1.8V 256M-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX25UM25645GMI00 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）——0 模式

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的供电电压为 1.65 至 2.0 伏

协议支持

单输入 / 输出（Single I/O）和八输入 / 输出（Octa I/O）

支持单传输速率（STR，Single Transfer Rate）和双传输速率（DTR，Double Transfer Rate）模式

支持高频运行

支持的最高时钟频率如下：

单输入 / 输出模式：133 兆赫兹（MHz）

八输入 / 输出模式：200 兆赫兹（MHz）

八输入 / 输出（OPI）读取操作的虚拟周期（dummy cycle）可配置

提供八外设接口（Octa Peripheral Interface，OPI）

均为 4 千字节（K byte）的等大小扇区，或均为 64 千字节（K byte）的等大小块

任意块均可单独擦除

编程特性：

256 字节（byte）页缓冲器

八输入 / 输出页编程功能，可提升编程性能

典型擦除 / 编程周期为 100,000 次

数据保留期为 20 年

软件特性

输入数据格式

串行外设接口（SPI）：1 字节命令码

八输入 / 输出（OPI）：2 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 状态位和 T/B 状态位用于定义受保护区域的大小，该区域可抵御编程和擦除指令的操作

高级扇区保护（固化保护和密码保护）

额外的 8 千位（K bit）安全一次性可编程（OTP，One-Time Programmable）存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定且可识别，用户可进一步锁定

命令复位功能

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子识别

符合 JEDEC 标准的 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

1.8 伏 256 兆位（M-BIT）[x 1/x 8] 互补金属氧化物半导体（CMOS）八通道闪存（Octaflash Memory）

硬件特性

SCLK 输入引脚

串行时钟输入引脚

SIO0 - SIO7 引脚

串行数据输入或串行数据输出引脚

DQS 引脚

数据选通信号（Data Strobe Signal）引脚

RESET# 引脚

硬件复位引脚

封装（PACKAGE）

M: 16-SOP (300mil)

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

所有器件均符合 RoHS 标准且不含卤素（RoHS Compliant and Halogen-free）

MX25UM25645GMI00产品概述

MX25UM25645G 是一款 256 兆位（Mb）八通道接口串行 NOR 闪存，其内部配置为 33,554,432×8（存储阵列）。该器件具备串行外设接口（SPI）和软件协议，在单输入 / 输出（Single I/O）模式下，可通过简单的三线总线运行。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入，可启用对该器件的串行访问。

MX25UM25645G 这款八通道闪存支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件将执行自动编程 / 擦除算法，该算法会对指定的页或扇区 / 块地址进行编程 / 擦除操作，并完成校验。编程命令可按字节、按页（256 字节）或按字（word）执行；擦除命令可按扇区（4 千字节）、按块（64 千字节）或对整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置状态寄存器，用于指示芯片当前状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写忙”（WIP）位检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件未处于运行状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25UM25645G 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程与擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。