MX25U25672GXDI40

MX25U25672G 1.8V, 256M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U25672GXDI40 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

通用特性

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）—— 模式 0 和模式 3

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的供电电压为 1.65 至 2.0 伏

存储结构可选：268,435,456×1 位、134,217,728×2 位（双 I/O 模式）或 67,108,864×4 位（四 I/O 模式）

协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O 协议

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

低 Vcc 写禁止电压范围为 1.0V 至 1.4V

SPI 模式下支持快速读取

支持最高 133MHz 的时钟频率

支持快速读取（Fast Read）、2 线读取（2READ）、双线读取（DREAD）、4 线读取（4READ）、四线读取（QREAD）指令

支持双倍传输速率（DTR，Double Transfer Rate）模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 —— 片上执行（XIP，execute-in-place）

提供四外设接口（QPI，Quad Peripheral Interface）

四重使能位（QE 位）永久固定；QE=1，四 I/O 模式始终使能

存储分区可选：每个扇区 4KB、每个块 32KB 或每个块 64KB

任意块均可单独擦除

编程特性：

256 字节页缓冲器

支持四输入 / 输出页编程（4PP，Quad Input/Output Page Program），以提升编程性能

典型擦除 / 编程周期为 100,000 次

数据保留时间为 20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 状态位和 T/B 状态位用于定义受保护区域的大小，该区域可防止执行编程和擦除指令

当一次性可编程写保护选择位（OTP WPSEL）=1 时，支持单独块保护

1.8V 256 兆位 [x1/x2/x4] 互补金属氧化物半导体（CMOS）MXSMIO®（串行多 I/O）闪存

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定且可识别，用户可进一步锁定

命令复位功能

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子标识

符合 JEDEC 标准的 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

支持 RES 指令读取 1 字节器件 ID

支持 REMS 指令读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入端

SI/SIO0

串行数据输入端；在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下为串行数据输入 / 输出端

SO/SIO1

串行数据输出端；在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下为串行数据输入 / 输出端

SIO2

4×I/O 读取模式下的串行数据输入 / 输出端

SIO3

4×I/O 读取模式下的串行数据输入 / 输出端

RESET#

硬件复位引脚

封装（PACKAGE）

M2: 8-pin SOP (200mil)

M: 16-SOP (300mil)

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

Z4: 8-WSON (8x6mm, 3.4 x 4.3 EP)

ZN: 8-WSON (6x5mm)

所有器件均符合 RoHS 标准且不含卤素（RoHS Compliant and Halogen-free）

MX25U25672GXDI40产品概述

MX25U25672G 是一款 256 兆位（Mb）串行 NOR 闪存，其内部结构配置为 33,554,432×8 位。当工作在双 I/O 模式或四 I/O 模式时，其结构会分别变为 134,217,728 位 ×2 位或 67,108,864 位 ×4 位。

MX25U25672G 具备串行外设接口（SPI）和软件协议，在单 I/O 模式下，可通过简单的三线总线实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入端（SCLK）、串行数据输入端（SI）和串行数据输出端（SO）。通过片选信号（CS#）输入可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出；当工作在四 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚同样会变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，承担地址 / 虚拟位输入与数据输出的功能。

MX25U25672G 这款 MXSMIO®（串行多 I/O）闪存支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件会执行自动编程 / 擦除算法，该算法会对指定的页或扇区 / 块地址进行编程 / 擦除操作，并对操作结果进行校验。编程命令可按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除命令则可按 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片当前的工作状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写忙”（WIP）位检测编程或擦除操作的完成状态。

该器件配备了高级安全特性，可增强数据保护与安全功能，更多详情请参见 “安全特性” 章节。

当器件未处于工作状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25U25672G 采用了旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程与擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。