MX25UM51345GBEI00

MX25UM51345G 1.8V 512M-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX25UM51345GBEI00 Serial NOR Flash芯片特点

通用特性

・支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）——0 模式

・单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的供电电压范围：1.65 至 2.0 伏

・512 兆位（Mb）存储容量：采用 536,870,912×1 位结构，或 67,108,864×8 位（八通道输入 / 输出模式，Octa I/O mode）结构

・协议支持

单通道输入 / 输出（Single I/O）和八通道输入 / 输出（Octa I/O）

支持双倍传输速率（DTR，Double Transfer Rate）模式

・具备闩锁保护功能，在 - 1 伏至电源电压（Vcc）+1 伏范围内，可承受 100 毫安电流

・支持高速时钟频率

最高时钟频率支持：

单通道输入 / 输出模式：133 兆赫兹（MHz）

八通道输入 / 输出模式：200 兆赫兹（MHz）

可配置八通道输入 / 输出（OPI）读取操作的虚拟周期数

・提供八通道外设接口（OPI，Octa Peripheral Interface）

・存储结构可选：要么是所有扇区（Sector）均为 4 千字节（K byte），要么是所有块（Block）均为 64 千字节（K byte）

任意一个块均可单独擦除

・编程特性：

配备 256 字节（byte）页缓冲器

支持八通道输入 / 输出页编程，以提升编程性能

・典型擦除 / 编程循环次数：10 万次

・数据保留时间：20 年

软件特性

・输入数据格式

串行外设接口（SPI）：1 字节命令码

八通道输入 / 输出（OPI）：2 字节命令码

・双倍速率八通道输入 / 输出（DOPI）输出数据格式：字节模式数据序列

・高级安全特性

块锁定保护（Block Lock Protection）

BP0-BP3 状态位与 T/B 状态位共同定义可抵御编程和擦除指令的保护区大小

高级扇区保护（Advanced Sector Protection）：包括完全保护（Solid Protect）和密码保护（Password Protect）

・额外的 8 千位（K bit）一次性可编程（OTP，One-Time Programmable）安全存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定且可识别，用户可进一步锁定

・命令复位（Command Reset）功能

・编程 / 擦除暂停与恢复（Program/Erase Suspend and Resume）操作

・电子标识（Electronic Identification）

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商标识（Manufacturer ID）和 2 字节器件标识（Device ID）

・支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式硬件特性

・SCLK 输入（Serial Clock Input，串行时钟输入）

・SIO0 - SIO7（Serial Data Input or Serial Data Output，串行数据输入或串行数据输出）

・DQS（Data Strobe Signal，数据选通信号）

・RESET#（Hardware Reset pin，硬件复位引脚，“#” 表示低电平有效）

・封装（PACKAGE）

M: 16-SOP (300mil)

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array

BE: 68-Ball WLCSP

所有器件均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX25UM51345GBEI00串行NOR闪存芯片概述

MX25UM51245G 是一款具备八线接口（Octal Interface）的 512Mb（兆位）串行 NOR 闪存，其内部存储结构配置为 67,108,864 × 8（即 6710 万个存储单元，每个单元 8 位）。

MX25UM51245G 具备串行外设接口（SPI）及专用软件协议，在单线 I/O（输入 / 输出）模式下，仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入可使能对该器件的串行访问（注：“#” 表示低电平有效）。

MX25UM51245G 这款八线闪存（OctalFlash）支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后，器件会自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定的页（page）或扇区 / 块（sector/block）地址进行编程 / 擦除操作，并对操作结果进行校验。其中：

编程命令的执行单位可为字节（byte）、页（256 字节）或字（word）；

擦除命令的执行单位可为扇区（4K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片当前的工作状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写忙位”（WIP bit，Write In Progress bit）检测编程或擦除操作的完成状态（注：WIP 位为 1 时表示操作正在进行，为 0 时表示操作已完成）。

当器件未处于工作状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25UM51245G 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 10 万次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。