MX25UM51245GXDIH0

MX25UM51245GXDIH0 1.8V 512M-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory Extreme Performance octaflash: 250Mhz

MXIC(旺宏电子)MX25UM51245GXDIH0 Serial NOR Flash芯片特点

一、主要特性

基本参数

支持串行外设接口（SPI）模式 0

单电源供电

读、擦除、编程工作电压：1.7V ~ 2.0V

存储容量 512Mb：

架构 1：536870912 × 1 位

架构 2（八路 I/O 模式）：67108864 × 8 位

协议与电气特性

支持单路 I/O、八路 I/O

支持 ** 双倍数据速率（DTR）** 模式

抗闩锁能力：在 - 1V ~ 电源电压 + 1V 范围内，可承受 100mA 电流

高频支持：

单路 I/O 模式：最高时钟频率 133MHz

八路 I/O 模式：最高时钟频率 250MHz

可配置八路外设接口（OPI）读取空周期数

支持 ** 就地执行（XIP）** 功能

搭载八路外设接口（OPI）

存储分区

统一扇区规格：单扇区 4KB；统一区块规格：单区块 64KB

支持任意区块独立擦除

编程相关

页缓存容量：256 字节

八路 I/O 页编程，提升编程效率

典型擦写寿命：10 万次

数据保存时长：20 年

二、软件特性

指令格式

串行外设接口（SPI）：单字节指令码

八路外设接口（OPI）：双字节指令码

高级安全功能

区块锁定保护

由 BP0~BP3、T/B 状态位划定保护区域，禁止对该区域执行编程、擦除指令。

高级扇区保护（硬件锁定 + 密码保护）

额外配备 8K 位安全型一次性可编程（OTP）区域

内置唯一识别码，出厂默认锁定且可识别，同时支持用户自行加锁

附加功能

指令复位功能

编程 / 擦除暂停与恢复操作

设备识别

遵循 JEDEC 标准：1 字节厂商识别码 + 2 字节器件识别码

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

三、硬件特性

SCLK：串行时钟输入

SI0~SI7：串行数据输入 / 输出

DQS：数据选通信号

RESET#：硬件复位引脚

封装形式（PACKAGE）

XD: 24-Bal BGA(5x5 ball aray)

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素（Halogen-free）

MX25UM51245GXDIH0串行NOR闪存芯片概述

MX25UM51245G 是一款具备八线接口（Octal Interface）的 512Mb（兆位）串行 NOR 闪存，其内部存储结构配置为 67,108,864 × 8（即 6710 万个存储单元，每个单元 8 位）。

MX25UM51245G 具备串行外设接口（SPI）及专用软件协议，在单线 I/O（输入 / 输出）模式下，仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入可使能对该器件的串行访问（注：“#” 表示低电平有效）。

MX25UM51245G 这款八线闪存（OctalFlash）支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后，器件会自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定的页（page）或扇区 / 块（sector/block）地址进行编程 / 擦除操作，并对操作结果进行校验。其中：

编程命令的执行单位可为字节（byte）、页（256 字节）或字（word）；

擦除命令的执行单位可为扇区（4K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片当前的工作状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写忙位”（WIP bit，Write In Progress bit）检测编程或擦除操作的完成状态（注：WIP 位为 1 时表示操作正在进行，为 0 时表示操作已完成）。

当器件未处于工作状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25UM51245G 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 10 万次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。