MX25UM51245GXDIH0

MX25UM51245GXDIH0 1.8V 512M-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory Extreme Performance octaflash: 250Mhz

MXIC(旺宏电子)MX25UM51245GXDIH0 Serial NOR Flash芯片特点

一、通用特性（GENERAL）

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）—— 模式 0（Mode 0）

单电源供电运行

读取、擦除及编程操作的供电电压范围：1.7~2.0 伏

512Mb 容量存储结构：可配置为 536,870,912 × 1 位结构，或 67,108,864 × 8 位（八线 I/O 模式，Octa I/O mode）结构

协议支持

支持单线 I/O（Single I/O）和八线 I/O（Octa I/O）

支持双倍传输速率（DTR，Double Transfer Rate）模式

具备闩锁保护功能：在 -1V 至 Vcc +1V 电压范围内，可承受 100mA 电流

支持高速时钟频率

最高支持时钟频率：

单线 I/O 模式：133MHz

八线 I/O 模式：250MHz

八线外设接口（OPI）读取操作的虚拟周期数（dummy cycle number）可配置

支持即时执行（XIP，Execute-in-Place）模式

支持八线外设接口（OPI，Octa Peripheral Interface）

存储结构可选：均为 4K 字节的扇区（Sector），或均为 64K 字节的块（Block）

任意一个块均可单独进行擦除操作

编程特性：

配备 256 字节页缓冲器（page buffer）

支持八线输入 / 输出页编程（Octa Input/Output Page Program），以提升编程性能

典型擦除 / 编程循环次数：10 万次

数据保留时间：20 年

二、软件特性（SOFTWARE FEATURES）

输入数据格式

SPI 模式：1 字节命令代码（command code）

OPI 模式：2 字节命令代码（command code）

高级安全特性

块锁定保护（Block Lock Protection）

BP0~BP3 状态位与 T/B 状态位共同定义受保护区域的大小，该区域可抵御编程和擦除指令的操作

高级扇区保护（Advanced Sector Protection）：支持固定保护（Solid Protect）和密码保护（Password Protect）

额外配备 8K 位一次性可编程（OTP，One-Time Programmable）安全存储区

具备唯一标识符（unique identifier）功能

出厂时已锁定且可识别，用户亦可进行锁定操作

1.8V 512Mb [×1/×8] 互补金属氧化物半导体（CMOS）八线闪存（OctaFlash Memory）

极致性能八线闪存（Extreme Performance OctaFlash）：250MHz

支持命令复位（Command Reset）

支持编程 / 擦除挂起与恢复操作（Program/Erase Suspend and Resume）

电子标识功能（Electronic Identification）

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID（manufacturer ID）和 2 字节器件 ID（device ID）

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

三、硬件特性（HARDWARE FEATURES）

SCLK 引脚：串行时钟输入（Serial Clock Input）

SIO0~SIO7 引脚：串行数据输入（Serial Data Input）或串行数据输出（Serial Data Output）

DQS 引脚：数据选通信号（Data Strobe Signal）

RESET# 引脚：硬件复位引脚（Hardware Reset Pin，“#” 表示低电平有效）

封装形式（PACKAGE）

XD:24-Ball BGA (5x5 ballarray)

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素（Halogen-free）

MX25UM51245GXDIH0串行NOR闪存芯片概述

MX25UM51245G 是一款具备八线接口（Octal Interface）的 512Mb（兆位）串行 NOR 闪存，其内部存储结构配置为 67,108,864 × 8（即 6710 万个存储单元，每个单元 8 位）。

MX25UM51245G 具备串行外设接口（SPI）及专用软件协议，在单线 I/O（输入 / 输出）模式下，仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入可使能对该器件的串行访问（注：“#” 表示低电平有效）。

MX25UM51245G 这款八线闪存（OctalFlash）支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后，器件会自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定的页（page）或扇区 / 块（sector/block）地址进行编程 / 擦除操作，并对操作结果进行校验。其中：

编程命令的执行单位可为字节（byte）、页（256 字节）或字（word）；

擦除命令的执行单位可为扇区（4K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片当前的工作状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写忙位”（WIP bit，Write In Progress bit）检测编程或擦除操作的完成状态（注：WIP 位为 1 时表示操作正在进行，为 0 时表示操作已完成）。

当器件未处于工作状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25UM51245G 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 10 万次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。