MX25U51293GMI40A

MX25U51293G 1.8V,512M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U51293GMI40A Serial NOR Flash芯片特点

通用特性（GENERAL）

额外配备 8K 位一次性可编程（OTP）安全存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定且可识别，用户亦可进行锁定操作

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）—— 模式 0（Mode 0）和模式 3（Mode 3）

单电源供电运行

读取、擦除及编程操作的供电电压范围：1.65~2.0 伏

支持命令复位（Command Reset）

支持编程 / 擦除挂起与恢复操作（Program/Erase Suspend and Resume）

512Mb 容量存储结构：可配置为 536,870,912×1 位结构、268,435,456×2 位（双线 I/O 模式）结构，或 134,217,728×4 位（四线 I/O 模式）结构

电子标识功能（Electronic Identification）

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID（manufacturer ID）和 2 字节器件 ID（device ID）

支持 RES 指令，可读取 1 字节器件 ID

支持 REMS 指令，可读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

协议支持

支持单线 I/O（Single I/O）、双线 I/O（Dual I/O）及四线 I/O（Quad I/O）

具备闩锁保护功能：在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

SPI 模式下支持快速读取

支持最高 166MHz 的快速时钟频率

支持快速读取（Fast Read）、2 线读取（2READ）、双线读取（DREAD）、4 线读取（4READ）、四线读取（QREAD）指令

支持双倍传输速率（DTR，Double Transfer Rate）模式

快速读取操作的虚拟周期数（dummy cycle number）可配置

支持性能增强模式 —— 即时执行（XIP，execute-in-place）模式

支持四线外设接口（QPI，Quad Peripheral Interface）

四线使能位（QE bit，Quad Enable bit）永久固定；QE=1，且四线 I/O 模式始终处于使能状态

存储结构可选：均为 4K 字节的扇区（Sector）、均为 32K 字节的块（Block），或均为 64K 字节的块（Block）

任意一个块均可单独进行擦除操作

编程特性：

配备 256 字节页缓冲器（page buffer）

支持四线输入 / 输出页编程（4PP，Quad Input/Output Page Program），以提升编程性能

典型擦除 / 编程循环次数：10 万次

数据保留时间：20 年

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

SCLK 引脚：串行时钟输入（Serial Clock Input）

SI/SIO0 引脚：串行数据输入（Serial Data Input）；在 2 线 I/O 读取模式和 4 线 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

SO/SIO1 引脚：串行数据输出（Serial Data Output）；在 2 线 I/O 读取模式和 4 线 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

SIO2 引脚：在 4 线 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

SIO3 引脚：在 4 线 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

RESET# 引脚：硬件复位引脚（Hardware Reset Pin，“#” 表示低电平有效）

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

输入数据格式

1 字节命令代码（Command code）

高级安全特性

块锁定保护（Block Lock Protection）

BP0~BP3 状态位与 T/B 状态位共同定义受保护区域的大小，该区域可抵御编程和擦除指令的操作

高级扇区保护功能（Advanced Sector Protection Function）

封装形式（PACKAGE）

M:16-SOP (300mil)

XD:24-Ball BGA (5x5 ballarray)

Z4:8-WSON (8x6mm,3.4 x 4.3 EP)

BF:68-Ball WLCSP

所有器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素（Halogen-free）

MX25U51293GMI40A串行NOR闪存芯片概述

MX25U51293G 是一款容量为 512Mb（兆位）的串行 NOR 闪存，其内部存储结构配置为 67,108,864 × 8（即 6710 万个存储单元，每个单元 8 位）。当工作在双线 I/O（输入 / 输出）或四线 I/O 模式时，其存储结构会相应变为 268,435,456 位 × 2（即 2.68 亿位，每 2 位为一组）或 134,217,728 位 × 4（即 1.34 亿位，每 4 位为一组）。

MX25U51293G 具备串行外设接口（SPI）及专用软件协议，在单线 I/O 模式下，仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选信号（CS#）输入可使能对该器件的串行访问（注：“#” 表示低电平有效）。

当器件工作在双线 I/O 读取模式时，原有的 SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位（dummy bits）输入与数据输出。

当器件工作在四线 I/O 读取模式时，同样是原有的 SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，承担地址 / 虚拟位输入与数据输出的功能。

MX25U51293G 搭载的 MXSMIO®（串行多 I/O，Serial Multi I/O）技术，支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后，器件会自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定的页（page）或扇区 / 块（sector/block）地址进行编程 / 擦除操作，并对操作结果进行校验。其中：

编程命令的执行单位可为字节（byte）、页（256 字节）或字（word）；

擦除命令的执行单位可为扇区（4K 字节）、块（32K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片当前的工作状态。通过发送状态读取命令，可借助 “写忙位”（WIP bit，Write In Progress bit，原文 “wpbi” 应为笔误）检测编程或擦除操作的完成状态（注：WIP 位为 1 时表示操作正在进行，为 0 时表示操作已完成）。

该器件还具备增强型安全特性，可提升数据保护与安全防护功能，更多细节请参见 “安全特性” 章节。

当器件未处于工作状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25U51293G 采用旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 10 万次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。