MX25UM51245GXDI00

MX25UM51245G 1.8V 512M-BIT [x 1/x 8] CMOS octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX25UM51245GXDI00 Serial NOR Flash芯片特点

通用特性

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）——0 模式

单电源供电运行

读取、擦除和编程操作的供电电压范围：1.65 至 2.0 伏

512 兆位（Mb）容量：采用 536,870,912×1 位结构，或 67,108,864×8 位（八通道输入 / 输出模式，Octa I/O mode）结构

协议支持

单通道输入 / 输出（Single I/O）和八通道输入 / 输出（Octa I/O）

支持双倍传输速率（Double Transfer Rate，DTR）模式

具备闩锁保护功能，在 - 1 伏至电源电压（Vcc）+1 伏范围内，可承受 100 毫安电流

支持高速时钟频率

最高支持时钟频率：

单通道输入 / 输出模式：133 兆赫兹（MHz）

八通道输入 / 输出模式：200 兆赫兹（MHz）

可配置八通道输入 / 输出（OPI）读取操作的虚拟周期数

提供八通道外设接口（Octa Peripheral Interface，OPI）

支持两种等容量存储单元划分方式：要么是每个扇区（Sector）4 千字节（K byte），要么是每个块（Block）64 千字节（K byte）

任意一个块均可单独擦除

编程特性：

配备 256 字节（byte）页缓冲器

支持八通道输入 / 输出页编程，以提升编程性能

典型擦除 / 编程周期：100,000 次

数据保留时间：20 年

软件特性

输入数据格式

串行外设接口（SPI）：1 字节（byte）命令码

八通道输入 / 输出（OPI）：2 字节（byte）命令码

高级安全特性

块锁定保护（Block Lock Protection）

BP0-BP3 状态位与 T/B（顶部 / 底部，Top/Bottom）状态位共同定义受保护区域的大小，该区域可抵御编程和擦除指令的操作

高级扇区保护（Advanced Sector Protection）：包括整片保护（Solid Protect）和密码保护（Password Protect）两种模式

额外的 8 千位（K bit）一次性可编程（One-Time Programmable，OTP）安全存储区

具备唯一标识符（Unique Identifier）功能

出厂时已锁定且可识别，用户可进一步锁定

命令复位（Command Reset）功能

编程 / 擦除暂停与恢复（Program/Erase Suspend and Resume）操作

电子标识（Electronic Identification）

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商标识（Manufacturer ID）和 2 字节器件标识（Device ID）

支持串行闪存可发现参数（Serial Flash Discoverable Parameters，SFDP）模式

SCLK 输入（Serial Clock Input，串行时钟输入）

SIO0 - SIO7（Serial Data Input or Serial Data Output，串行数据输入或串行数据输出）

DQS（Data Strobe Signal，数据选通信号）

RESET#（Hardware Reset pin，硬件复位引脚，“#” 表示低电平有效）

封装（PACKAGE）

XD: 24-Ball BGA (5x5 ball array)

M: 16-SOP (300mil)

所有器件均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素

MX25UM51245GXDI00串行NOR闪存芯片概述

MX25UM51245G 是一款512兆位（Mb）八通道接口串行 NOR 闪存，其内部结构配置为 67,108,864×8 位。该器件具备串行外设接口（SPI）及相应软件协议，在单通道输入 / 输出（Single I/O）模式下，可通过简单的三线总线实现操作。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#）信号可使能对该器件的串行访问（注：“#” 表示低电平有效）。

MX25UM51245G 这款八通道闪存支持对整片芯片进行顺序读取操作。

当发送编程 / 擦除指令后，器件将自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定的页（Page）或扇区 / 块（Sector/Block）地址进行编程 / 擦除操作，并完成校验。其中，编程指令可按字节（Byte）、页（256 字节）或字（Word）为单位执行；擦除指令可按扇区（4KB，4 千字节）、块（64KB，64 千字节）或整片芯片为单位执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片当前状态。用户可发送状态读取指令，通过 “写忙”（WIP，Write In Progress）位来判断编程或擦除操作是否完成。

当器件未处于工作状态且片选信号（CS#）为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25UM51245G 采用了旺宏电子（Macronix）专有的存储单元技术，即便经过 100,000 次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。