MX25U51241GZ4I0G

MX25U51241G 1.8V,512M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U51241GZ4I0G Serial NOR Flash芯片特点

概述

额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）

支持串行外设接口 - 模式 0 和模式 3

具有唯一标识符

工厂锁定可识别，且客户可锁定

单电源供电操作

命令复位

读取、擦除和编程操作的电压为 1.65 至 2.0 伏

编程 / 擦除暂停和恢复操作

电子标识

512Mb：536,870,912 x 1 位结构，或 268,435,456 x 2 位（双 I/O 模式）结构，或 134,217,728 x 4 位（四 I/O 模式）结构

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节设备 ID

用于 1 字节设备 ID 的 RES 命令

协议支持

用于 1 字节制造商 ID 和 1 字节设备 ID 的 REMS 命令

单 I/O、双 I/O 和四 I/O

从 - 1V 到 Vcc +1V，闩锁保护可达 100mA

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

SPI 模式下的快速读取

支持高达 166MHz 的快速时钟频率

支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持 DTR（双传输速率）模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 - XIP（就地执行）

四外设接口（QPI）可用

所有动态保护位（DPB）在通电或复位后默认值为 0

每个均等扇区为 4K 字节，或每个均等块为 32K 字节，或每个均等块为 64K 字节

任何块都可单独擦除编程：

256 字节页缓冲器

四输入 / 输出页编程（4PP），以提高编程性能

典型 100,000 次擦除 / 编程周期

20 年数据保留

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入，或用于 2x I/O 读取模式和 4x I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出，或用于 2x I/O 读取模式和 4x I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2

硬件写保护，或用于 4x I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

RESET#

硬件复位引脚

RESET#/SIO3或 NC/SIO3

硬件复位引脚，或用于 4x I/O 读取模式的串行输入和输出

或

无连接，或用于 4x I/O 读取模式的串行输入和输出

* 取决于部件号选项

软件特性

输入数据格式

1 字节命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BPO-BP3 和 T/B 状态位定义了要保护免受编程和擦除指令影响的区域大小

高级扇区保护功能

・封装

M: 16-SOP (300mil)

XD:24-Ball BGA (5x5 ball array)

Z4: 8-WSON (8x6mm, 3.4 x 4.3 EP)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

MX25U51241GZ4I0G Serial NOR Flash芯片概述

MX25U51241G 是一款 512 兆位串行 NOR 闪存，其内部配置为 67,108,864×8 位。当工作在双 I/O 或四 I/O 模式时，其结构分别变为 268,435,456 位 ×2 或 134,217,728 位 ×4。MX25U51241G 支持单 I/O 模式，三种总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#）可启用对该器件的串行访问。

在双 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四 I/O 读取模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 RESET# 引脚分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX25U51241G 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，将执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可以按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除命令可以按扇区（4K 字节）、按块（32K 字节）、按块（64K 字节）或对整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片的状态。通过状态读取命令，可以检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了保护和安全功能，更多详情请参见安全特性部分。

当器件不工作且 CS# 为高电平时，它将进入待机模式。

MX25U51241G 采用了 Macronix 专有的存储单元，即使经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。