MX66U1G93GXDI40

MX66U1G93G 1.8V, 1G-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX66U1G93GXDI40 Serial NOR Flash芯片特点

概述

额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

具备唯一标识符功能

出厂锁定可识别，且支持客户锁定

支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3

单电源供电操作

读、擦除和编程操作电压：1.65 至 2.0 伏

命令复位

编程 / 擦除暂停和恢复操作

电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

RES 命令获取 1 字节器件 ID

REMS 命令获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

1,073,741,824×1 位结构，或 536,870,912×2 位（双 I/O 模式）结构，或 268,435,456×4 位（四 I/O 模式）结构

协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O

具有闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

SPI 模式下的快速读取

支持高达 166MHz 的快速时钟频率

支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持 DTR（双倍传输速率）模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

支持性能增强模式 ——XIP（就地执行）

提供四外设接口（QPI）

永久性固定的 QE 位（四使能位）；QE=1 且四 I/O 模式始终启用

包含相等的扇区（每扇区 4K 字节），或相等的块（每块 32K 字节），或相等的块（每块 64K 字节）

任何块均可单独擦除

编程：

256 字节页缓冲器

四输入 / 输出页编程（4PP），以提升编程性能

典型 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保留期

软件特性

输入数据格式

1 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义受保护区域的大小，以防编程和擦除指令

高级扇区保护功能

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入，或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出，或在 2×I/O 读取模式和 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

SIO2

在 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

SIO3

在 4×I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

RESET#

硬件复位引脚

包裹

- 24-Ball BGA (5x5 ball array)

-16-pin SOP (300mil)

-所有设备均符合RoHS标准，不含卤素

MX66U1G93GXDI40 Serial NOR Flash芯片概述

MX66U1G93G是1Gb位串行NOR闪存，内部配置为134217.728 x 8。当则结构变为536870912位x2或268435456位x4。MX66U1G93G具有串行外围接口和软件协议，允许在简单的3线总线上运行单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。

通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为地址/虚拟位的SIO0引脚和SiO1引脚输入和数据输出。当它处于四输入/输出读取模式时，SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚地址/虚拟位输入和数据输出。

MX66U1G93G MXSMIO°（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行在扇区（4K字节）、块（32K字节）或块（64K字节）上执行擦除命令的基于字节或字的擦除命令，或基于整个芯片。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令以通过WiPbit检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能部分更多细节。

当设备未运行且CS#为高时，它将进入待机模式。

MX66U1G93G采用Macronix专有的存储单元，即使在100000个编程和擦除周期。