MX25V5126FM1I

MX25V5126F 2.3V-3.6V, 512K-BIT [x 1/x 2] CMOS SERIAL NOR FLASH

MXIC(旺宏电子)MX25V5126FM1I Serial NOR Flash芯片特性：

概述

支持串行外设接口 - 模式 0 和模式 3

524,288×1 位结构或 262,144×2 位（双输出模式）结构

包含相等的扇区（每扇区 4K 字节），或相等的块（每块 32K/64K 字节）

任何块均可单独擦除

单电源供电操作

读、擦除和编程操作电压：2.3 至 3.6 伏

具有闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

性能

高性能

快速读取：

1 个 I/O：

104MHz，8 个虚拟周期（2.7V-3.6V）

80MHz，8 个虚拟周期（2.3V-2.7V）

双 I/O（用于 DREAD 指令）：

104MHz，4 个虚拟周期（2.7V-3.6V）

80MHz，4 个虚拟周期（2.3V-2.7V）

快速编程时间：1.6ms / 页（256 字节）

字节编程时间：20 微秒

快速擦除时间：

50ms（典型值）/ 扇区（每扇区 4K 字节）；

0.3s（典型值）/ 块（每块 32K 字节）；

0.6s（典型值）/ 块（每块 64K 字节）；

1.8s（典型值）/ 芯片。

低功耗

低活动读取电流：50MHz 时最大 6mA

低活动编程电流：典型值 5mA / 页

低活动扇区擦除电流：典型值 5mA

低待机电流：典型值 5uA

深度掉电模式：典型值 1uA

至少 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保留期

2.3V-3.6V 512K 位 [x1/x2] CMOS 串行闪存

1. 特性

软件特性

输入数据格式：1 字节命令码

块锁定保护：BP0-BP3 状态位定义通过软件保护以防编程和擦除指令的区域大小

自动擦除和自动编程算法

自动擦除并验证所选扇区的数据

通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法自动计时编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应先处于擦除状态）

状态寄存器功能

电子标识

JEDEC 2 字节器件 ID

RES 命令，1 字节器件 ID

支持唯一 ID（详情请联系当地 Macronix 销售）

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入或双输出模式下的串行数据输出

SO/SIO1

串行数据输出或双输出模式下的串行数据输出

WP# 引脚

硬件写保护

封装

ZU: 2x3mm 8-USON

O: 173mil 8-TSSOP

M1: 150mil 8-SOP

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

MX25V5126FM1I Serial NOR Flash芯片概述：

MX25V5126F 是一款 CMOS 512Kb 串行 NOR 闪存，其内部配置为 65,536×8 的结构。

MX25V5126F 具备串行外设接口和软件协议，可通过简单的三线总线进行操作。这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#）可启用对该器件的串行访问。

MX25V5126F 支持对整个芯片进行顺序读取操作。

在发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令以页（256 字节）为单位执行。擦除命令可针对芯片、4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片的状态。通过状态读取命令，可借助忙标志位（WIP）检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件未处于运行状态且 CS# 为高电平时，器件将进入待机模式。

MX25V5126F 采用了旺宏电子（Macronix）专有的存储单元，即便经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。