MX66U2G45GXRI54

MX66U2G45G 54 1.8V, 2G-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX66U2G45GXRI54 Serial NOR Flash芯片特性：

概述

・支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3

・单电源供电运行

读取、擦除和编程操作电压为 1.65 至 2.0 伏

・协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O

・具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc +1V 电压范围内可承受 100mA 电流

・SPI 模式下的快速读取

支持最高 166MHz 的快速时钟频率

支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持 DTR（双倍传输速率）模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

・支持性能增强模式 ——XIP（就地执行）

・永久固定的 QE 位（四使能位）；QE=1，四 I/O 模式始终启用

・具备四外设接口（QPI）

・扇区大小均为 4K 字节，或块大小均为 32K 字节，或块大小均为 64K 字节

任何块均可单独擦除

・编程：

256 字节页缓冲器

四输入 / 输出页编程（4PP），以提升编程性能

・典型擦除 / 编程周期为 100,000 次

・数据保留期为 20 年

1.8V 2G 位 [x1/x2/x4] CMOS MXSMIO®（串行多 I/O）闪存

软件特性

・输入数据格式

1 字节命令代码

・高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义了可受保护以防编程和擦除指令影响的区域大小

高级扇区保护功能

・额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

具有唯一标识符

出厂锁定可识别，且用户可锁定

・命令重置

・编程 / 擦除暂停和恢复操作

・电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

RES 命令用于读取 1 字节器件 ID

REMS 命令用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

・支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

・SCLK 输入

串行时钟输入

・SI/SIO0

串行数据输入，或用于双 I/O 和四 I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

・SO/SIO1

串行数据输出，或用于双 I/O 和四 I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

・SIO2

用于四 I/O 读取模式的串行输入和输出

・SIO3

用于四 I/O 读取模式的串行输入和输出

・RESET#

硬件复位引脚

封装

24-Ball BGA  (5x5 ball array)

所有器件均符合 RoHS 标准且不含卤素

MX66U2G45GXRI54 Serial NOR Flash芯片概述：

MX66U2G45G 是一款 2Gb 的串行 NOR 闪存，内部配置为 268,435,456×8 位。在双 I/O 或四 I/O 模式下，其结构变为 1,073,741,824×2 位或 536,870,912×4 位。MX66U2G45G 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线进行操作。这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对该器件的串行访问。

在双 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX66U2G45G 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页面或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页面（256 字节）或字为单位执行；擦除命令可按扇区（4K 字节）、块（32K 字节）、块（64K 字节）或整个芯片为单位执行。

为方便用户操作，芯片内置了状态寄存器以指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助忙位（WIP bit）检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了保护和安全功能，更多详情请参见安全特性部分。

当器件未处于运行状态且 CS# 为高电平时，器件将进入待机模式。

MX66U2G45G 采用了旺宏（Macronix）专有的存储单元，即使经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。