MX25V512FZUI

MX25V512F 2.3V-3.6V, 512K-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25V512FZUI Serial NOR Flash芯片特性：

概述

通过内部算法自动对选定页面进行编程和数据验证，该算法会自动计时编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应先处于擦除状态）

相等的扇区，每个 4K 字节；或相等的块，每个 32K/64K 字节

任何块都可以单独擦除

性能

高性能

快速读取

1 线：108MHz，带 8 个虚拟周期

2 线：104MHz，带 4 个虚拟周期，相当于 208MHz

4 线：104MHz，带 2+4 个虚拟周期，相当于 416MHz

快速编程和擦除时间

8/16/32/64 字节回绕突发读取模式

支持性能增强模式 - XIP（就地执行）

低功耗

最少 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保留

硬件特性

串行时钟输入（SCLK）

串行时钟输入

串行数据输入（SI/SIO0）

串行数据输入，或用于 2 线 / 4 线读取模式的串行数据输入 / 输出

串行数据输出（SO/SIO1）

串行数据输出，或用于 2 线 / 4 线读取模式的串行数据输入 / 输出

写保护（WP#/SIO2）

硬件写保护，或用于 4 线读取模式的串行数据输入 / 输出

保持（HOLD#/SIO3）

保持功能，可暂停设备而无需取消选择设备，或用于 4 线读取模式的串行数据输入 / 输出

支持串行外设接口 - 模式 0 和模式 3

524,288 x 1 位结构

或 262,144 x 2 位（两 I/O 模式）结构

或 131,072 x 4 位（四 I/O 模式）结构

单电源操作

工作电压：读取、擦除和编程操作为 2.3V-3.6V

具有闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc +1V 电压范围内可承受 100mA 电流

软件特性

输入数据格式

1 字节命令代码

状态寄存器功能

命令重置

编程 / 擦除暂停和编程 / 擦除恢复

电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节设备 ID

RES 命令用于 1 字节设备 ID

REMS 命令用于 1 字节制造商 ID 和 1 字节设备 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

支持唯一 ID（详情请联系当地旺宏销售）

高级安全特性

块锁定保护

BPO-BP3 状态位定义了可通过软件保护以防止编程和擦除指令的区域大小

额外的 8K 位安全 OTP

具有唯一标识符

出厂锁定可识别且客户可锁定

自动擦除和自动编程算法

自动擦除并验证选定扇区或块的数据

封装

M1: 8-SOP (150mil)

O: 8-TSSOP (173mil)

ZU:8-USON (2x3mm)

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

MX25V512FZUI Serial NOR Flash芯片概述：

MX25V512F 是一款 512Kb 的串行 NOR 闪存，内部配置为 65536×8 位。在四 I/O 模式下，其结构变为 131072×4 位或 262144×2 位。

MX25V512F 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线进行操作。这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对器件的串行访问。

在两 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四 I/O 读取模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 HOLD# 引脚分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX25V512F 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页面或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页面（256 字节）或字为单位执行。擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片为单位执行。

为方便用户操作，芯片内置了状态寄存器以指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助忙位（WIP bit）检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了保护和安全功能，更多详情请参见安全特性部分。

MX25V512F 采用了旺宏（Macronix）专有的存储单元，即使经过 10 万次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。