MX25V1006FOI

MX25V1006F 1M-BIT[x 1/x 2] CMOS SERIAL NOR FLASH

MXIC(旺宏电子)MX25V1006FOI Serial NOR Flash芯片特性：

概述

软件特性

支持串行外设接口模式 0 和模式 3

输入数据格式：1 字节命令码

1,048,576×1 位结构或 524,288×2 位（双输出模式）结构

块锁定保护：BPO-BP3 状态位定义受软件保护的区域大小，防止编程和擦除指令操作

每个扇区大小均等，各为 4K 字节；或每个块大小均等，各为 32K/64K 字节

任何块均可单独擦除

自动擦除和自动编程算法

自动对选定扇区的数据进行擦除和验证

通过内部算法自动对选定页面进行编程和验证，该算法会自动设定编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应先处于擦除状态）

单电源供电操作

读、擦除和编程操作的电压为 2.3-3.6 伏

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

状态寄存器功能

电子标识

JEDEC 2 字节器件 ID

RES 命令，1 字节器件 ID

硬件特性

串行时钟（SCLK）输入

串行时钟输入端

SI/SIO0

串行数据输入或双输出模式下的串行数据输出

SO/SIO1

串行数据输出或双输出模式下的串行数据输出

WP# 引脚

硬件写保护

性能

高性能

快速读取：

-1 路 I/O：

104MHz，带 8 个虚拟周期（2.7V-3.6V）

80MHz，带 8 个虚拟周期（2.3V-2.7V）

- 双 I/O（用于 DREAD 指令）：

104MHz，带 4 个虚拟周期（2.7V-3.6V）

80MHz，带 4 个虚拟周期（2.3V-2.7V）

快速编程时间：1.6 毫秒 / 页（256 字节）

字节编程时间：20 微秒

快速擦除时间：

50 毫秒（典型值）/ 扇区（每扇区 4K 字节）；

0.3 秒（典型值）/ 块（每块 32K 字节）；

0.6 秒（典型值）/ 块（每块 64K 字节）；

1.8 秒（典型值）/ 芯片。

低功耗

低活动读取电流：50MHz 时最大 6mA

低活动编程电流：典型值 5mA / 页

低活动扇区擦除电流：典型值 5mA

低待机电流：典型值 5μA

深度掉电模式：典型值 1μA

最少 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保存期

封装

8-USON (2x3mm)

8-pin TSSOP (173mil)

8-pin SOP (150mil)

所有器件均符合 RoHS 标准且不含卤素

MX25V1006FOI Serial NOR Flash芯片概述：

MX25V1006F 是一款 CMOS 1,048,576 位串行 NOR 闪存，内部配置为 131,072×8 位。

MX25V1006F 具备串行外设接口和软件协议，可在简单的三线总线上运行。这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对该器件的串行访问。

MX25V1006F 支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，会执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令以页（256 字节）为单位执行。擦除命令可对芯片、4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片执行。

为方便用户接口操作，该器件内置状态寄存器以指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

当器件不工作且 CS# 为高电平时，它会保持在待机模式。

MX25V1006F 采用 Macronix 专有的存储单元，即使经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地保存存储内容。

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