MX25V8035FM1I

MX25V8035F 2.3V-3.6V,8M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25V8035FM1I Serial NOR Flash芯片特性：

通过内部算法自动对选定页面进行编程和数据验证，该算法会自动设定编程脉冲宽度（任何要编程的页面都应先处于擦除状态）

支持串行外设接口 - 模式 0 和模式 3

8,388,608×1 位结构

或 4,194,304×2 位（双 I/O 模式）结构

或 2,097,152×4 位（四 I/O 模式）结构

每个扇区大小相同，各为 4K 字节；或每个块大小相同，各为 32K/64K 字节

任何块都可单独擦除

单电源供电

工作电压：读取、擦除和编程操作均为 2.3V-3.6V

具有闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

性能

高性能

快速读取

1 路 I/O：108MHz，带 8 个虚拟周期

2 路 I/O：104MHz，带 4 个虚拟周期，相当于 208MHz

4 路 I/O：104MHz，带 2+4 个虚拟周期，相当于 416MHz

快速编程和擦除时间

8/16/32/64 字节循环突发读取模式

支持性能增强模式 - XIP（就地执行）

低功耗

至少 100,000 次擦除 / 编程循环

数据保留 20 年

状态寄存器特性

命令重置

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复

电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

RES 命令获取 1 字节器件 ID

REMS 命令获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

支持唯一 ID（详情请联系当地旺宏电子销售部门）

硬件特性

SCLK 输入：串行时钟输入

SI/SIO0：串行数据输入，或用于 2 路 I/O 读取模式和 4 路 I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

SO/SIO1：串行数据输出，或用于 2 路 I/O 读取模式和 4 路 I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

WP#/SIO2：硬件写保护，或用于 4 路 I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

HOLD#/SIO3：保持功能，用于暂停器件而不取消选择器件，或用于 4 路 I/O 读取模式的串行输入 / 输出

软件特性

输入数据格式

1 字节命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BPO-BP3 状态位定义通过软件保护以防编程和擦除指令的区域大小

额外的 8K 位安全 OTP（一次性可编程）

具有唯一标识符功能

工厂锁定可识别，且客户可锁定

自动擦除和自动编程算法

自动对选定扇区或块进行擦除和数据验证

封装：

150mil 8-SOP

200mil 8-SOP

2x3mm 8-USON

6x5mm 8-WSON

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素。

MX25V8035FM1I Serial NOR Flash芯片概述：

MX25V8035F 是一款 8Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 1,048,576×8 位结构。在四 I/O 模式下，其结构变为 2,097,152 位 ×4 或 4,194,304 位 ×2。

MX25V8035F 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线运行。这三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对器件的串行访问。

在双 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四 I/O 读取模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚和 HOLD# 引脚分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX25V8035F 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，将执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或字执行。擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片执行。

为方便用户接口，器件内置状态寄存器以指示芯片状态。可通过发出状态读取命令，借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了保护和安全功能，更多详情请参见安全特性部分。

MX25V8035F 采用旺宏电子专有的存储单元，即使经过 100,000 次编程和擦除循环，仍能可靠地存储数据内容。