MX25V1606FZNI03

MX25V1606F 2.3V-3.6V,16M-BIT[x 1/x 2] CMOS MXSMIO(SERIALMULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25V1606FZNI03 Serial NOR Flash芯片特性：

概述

状态寄存器特性

支持串行外设接口 - 模式 0 和模式 3

16,777,216×1 位结构或 8,388,608×2 位（双 I/O 模式）结构

每个扇区大小相同，各为 4K 字节；每个块大小相同，各为 32K 字节，或每个块大小相同，各为 64K 字节

任何块均可单独擦除

单电源供电运行

工作电压：读取、擦除和编程操作时为 2.3V-3.6V

硬件特性

具有闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

SCLK 输入

串行时钟输入

SI/SIO0

串行数据输入或用于 2×I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

SO/SIO1

串行数据输出或用于 2×I/O 读取模式的串行数据输入 / 输出

・WP#

硬件写保护

性能

高性能

快速读取（2.7V-3.6V）

1 路 I/O：104MHz，带 8 个虚拟周期

1/20：104MHz，带 8 个虚拟周期，相当于 208MHz

快速编程和擦除时间

低功耗

典型 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保持期

软件特性

电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节设备 ID

RES 命令获取 1 字节设备 ID

REMS 命令获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节设备 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

输入数据格式

1 字节命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BPO-BP3 状态位定义通过软件保护以防止编程和擦除指令的区域大小

自动擦除和自动编程算法

通过内部算法自动对选定扇区或块的数据进行擦除和验证

通过内部算法自动对选定页的数据进行编程和验证，该算法会自动确定编程脉冲宽度（任何要编程的页都应先处于擦除状态）

封装：

6x5mm 8-WSON

150mil 8-SOP

200mil 8-SOP

所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素。

MX25V1606FZNI03 Serial NOR Flash芯片概述：

MX25V1606F 是一款 16Mb 容量的串行 NOR 闪存，内部配置为 2,097,152×8 位结构。

MX25V1606F 具备串行外设接口和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线进行操作。这三条总线信号分别是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS# 输入可启用对该器件的串行访问。

在双 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX25V1606F 的 MXSMIO®（串行多 I/O）功能支持对整个芯片进行连续读取操作。

发出编程 / 擦除命令后，将执行自动编程 / 擦除算法，对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页（256 字节）或字为单位执行。擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片为单位执行。

为方便用户接口操作，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片状态。通过状态读取命令，可借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了保护和安全功能，更多详情请参见安全特性部分。

MX25V1606F 采用了旺宏电子（Macronix）的专有存储单元，即使经过通常 100,000 次的编程和擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。