MX25L25745G 3V, 256M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX25L25745GMI-08G Serial NOR Flash特性:
概述
支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3单电源供电运行
读取、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏
268,435,456×1 位结构
或 134,217,728×2 位(双通道 I/O 模式)结构
或 67,108,864×4 位(四通道 I/O 模式)结构
协议支持
单通道 I/O、双通道 I/O 和四通道 I/O
具有闩锁保护功能,在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流
低 Vcc 写禁止电压范围为 1.5V 至 2.5V
SPI 模式下支持快速读取
所有协议均支持最高 133MHz 的时钟频率
支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令
支持 DTR(双倍传输速率)模式
可配置快速读取操作的虚拟周期数
支持性能增强模式 ——XIP(就地执行)
提供四通道外设接口(QPI)
均等的 4K 字节扇区,或均等的 32K 字节 / 64K 字节块
任何块均可单独擦除
编程:
256 字节页缓冲器
四通道输入 / 输出页编程(4PP),以提升编程性能
典型 100,000 次擦除 / 编程循环
20 年数据保留期
4 字节地址模式永久接口
软件特性
输入数据格式
1 字节命令代码
高级安全特性
块锁定保护
BP0-BP3 和 T/B 状态位定义了免受编程和擦除指令影响的区域大小独立扇区保护功能(固定保护)
3V 256M 位 [x1/x2/x4] CMOS MXSMIO®(串行多 I/O)闪存
额外的 4K 位安全一次性可编程(OTP)区域
具备唯一标识符
工厂可锁定识别,客户可锁定
命令重置
编程 / 擦除暂停和恢复操作
电子识别
JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节设备 ID
RES 命令获取 1 字节设备 ID
REMS 命令获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节设备 ID
支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
硬件特性
SCLK 输入
串行时钟输入
SI/SIO0
串行数据输入,或在 2 通道 I/O 读取模式和 4 通道 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
SO/SIO1
串行数据输出,或在 2 通道 I/O 读取模式和 4 通道 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
WP#/SIO2
硬件写保护,或在 4 通道 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
RESET#
硬件重置引脚
NC/SIO3
无连接,或在 4 通道 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
封装:
16-SOP (300mil)
所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素。
MX25L25745GMI-08G Serial NOR Flash概述:
MX25L25745G 是一款 256Mb 的串行 NOR 闪存,内部配置为 33,554,432×8 位结构。在双通道或四通道 I/O 模式下,其结构分别变为 134,217,728 位 ×2 或 67,108,864 位 ×4。
MX25L25745G 具备串行外设接口和软件协议,在单通道 I/O 模式下可通过简单的三线总线运行,这三条总线信号分别为时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过 CS# 输入可启用对器件的串行访问。
在双通道 I/O 读取模式下,SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四通道 I/O 读取模式下,SI 引脚、SO 引脚和 WP# 引脚分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚和 SIO2 引脚,用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。
MX25L25745G MXSMIO®(串行多 I/O)支持全芯片顺序读取操作。
发出编程 / 擦除命令后,会执行自动编程 / 擦除算法,对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页(256 字节)或字执行;擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或全芯片执行。
为方便用户进行接口操作,器件内置了一个状态寄存器,用于指示芯片状态。可通过发出状态读取命令,借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。
高级安全特性增强了保护和安全功能,更多详情请参见安全特性部分。
当器件未运行且 CS# 为高电平时,会进入待机模式。
MX25L25745G 采用了旺宏电子(Macronix)的专有存储单元,即便经过 100,000 次编程和擦除循环,仍能可靠地保存存储内容。
