XM25UH128D

3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XM25UH128D FLASH 特性

XMC(武汉芯新)全新 SpiFlash 存储器系列– XM25UH128D：128 兆位 / 16 兆字节– 标准 SPI 接口：CLK（时钟）、/CS（片选）、SI（串行输入）、SO（串行输出）、/WP（写保护）、/Hold（保持）– 双 SPI 接口：CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold– 四 SPI 接口：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3– QPI 接口（四通道外设接口）：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3– SPI/QPI 双传输速率（DTR）读取功能 高性能串行闪存– 166MHz 单 / 双 / 四 SPI 快速读取– 108MHz 标准读取– 108MHz DTR 读取– 可配置快速读取操作的虚拟周期数– 超过 10 万次擦除 / 编程循环寿命– 超过 20 年数据保留期 高效 “连续读取” 与 QPI 模式– 支持 8/16/32/64 字节环绕的连续读取– 四通道外设接口（QPI）减少指令开销– 支持真正的 XIP（片上执行）操作 高性能编程 / 擦除速度– 页编程时间：典型值 0.25 毫秒– 扇区擦除时间：典型值 25 毫秒– 32KB 块擦除时间：典型值 100 毫秒– 64KB 块擦除时间：典型值 150 毫秒– 整片擦除时间：典型值 20 秒单电源供电– 完整电压范围：2.3-3.6V 低功耗特性– 待机电流：典型值 10 微安– 深度掉电电流：典型值 0.2 微安– 主动读取电流：典型值 4 毫安（80MHz 四 I/O 模式）灵活架构设计– 统一扇区 / 块擦除（4K/32K/64K 字节）– 每页可编程 1-256 字节– 支持擦除 / 编程暂停与恢复功能 高级安全特性– 软硬件写保护功能– 电源锁定与一次性可编程（OTP）保护– 顶部 / 底部、互补阵列保护– 每片器件配备 128 位唯一标识符（UID）– 支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名– 3 组 1024 字节安全寄存器（带 OTP 锁定功能）– 易失性与非易失性状态寄存器位。

封装：H: SOP 208mil 8L; W: WSON 5x6 8L; X: WSON 6x8 8L; U4:FOSON 3x3 8L;

XM25UH128D Spi Flash概述

XM25UH128D（128 兆位）是一款串行接口闪存器件，采用 2.3V-3.6V 单电源供电，深度掉电模式下电流消耗低至 0.2 微安。该器件可将程序代码从闪存映射至内置或外部 RAM 中执行，其灵活的擦除架构及页级擦除粒度同样适用于数据存储场景，无需额外配置数据存储器件。

器件内部配置有 65,536 个可编程页（每页 256 字节），单次可编程 1-256 字节。支持多种擦除方式：16 页为一组（4KB 扇区擦除）、128 页为一组（32KB 块擦除）、256 页为一组（64KB 块擦除）或整片擦除（芯片擦除），器件分别包含 4,096 个可擦除扇区和 256 个可擦除块。4KB 小扇区设计为需要存储数据和参数的应用提供了更高的灵活性。

该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双 / 四 I/O SPI 接口，以及两时钟指令周期的四通道外设接口（QPI），引脚包括串行时钟（CLK）、片选（/CS）、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和 I/O3（/HOLD）。其 SPI 时钟频率最高可达 166MHz，在执行快速读取双 / 四 I/O 及 QPI 指令时，双 I/O 模式等效时钟速率可达 332MHz，四 I/O 模式等效时钟速率可达 664MHz。器件还新增双传输速率（DTR）指令支持，传输速率可超越标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式仅需 8 个时钟周期的指令开销即可读取 24 位地址，实现高效的存储器访问，支持真正的片上执行（XIP）操作。

此外，器件配备保持引脚（/HOLD）、写保护引脚（/WP），并支持可编程写保护功能，可通过顶部或底部阵列控制实现更灵活的保护配置。同时，该器件兼容 JEDEC 标准制造商及器件 ID、串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器，内置 128 位唯一序列号及三个 1024 字节安全寄存器。