XM25RU512DXIQT

XM25RU512D WideRange 512M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI

XMC(武汉新芯)XM25RU512DXIQT SPI NOR FLASH芯片特征

全新 SPI Flash 产品系列

XM25RU512D：512Mbit（64MB）

标准 SPI：CLK、/CS、SI、SO、WP、/HOLD

双路 SPI（Dual SPI）：CLK、/CS、IO0、IO1、WP、/HOLD

四路 SPI（Quad SPI）：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

高速时钟频率

单通道、双通道、四通道 SPI 最高 133MHz

可配置 Dummy Cycle（虚周期），实现高速读取

擦写周期 ≥100,000 次

数据保存年限 ≥20 年

Burst Read（突发读取），支持 8/16/32/64 字节 Wrap 环绕

高效连续读取（Continuous Read）

连续读取，支持 8/16/32/64 字节 Wrap 环绕

支持真正的 XIP（就地执行，代码直接在 Flash 运行，无需拷贝到 RAM）

高性能读写速度

页编程典型时间：0.25ms

扇区擦除典型时间：25ms

32KB 块擦除典型时间：80ms

64KB 块擦除典型时间：120ms

整片擦除典型时间：60s

单电源供电

电压范围：1.65V ~ 2.0V（1.8V 规格 NOR）

低功耗特性

待机电流典型值：20 μA

深度掉电电流典型值：5 μA

108MHz 四通道 I/O 读取工作电流典型值：10 mA

灵活架构，4KB 扇区

统一扇区 / 块擦除（4K / 32K / 64K Byte）

单页可编程 1~256 字节

支持擦除 / 编程暂停与恢复（Erase/Program Suspend & Resume）

高级安全特性

软件、硬件写保护

电源锁定保护、OTP 一次性可编程保护

自顶向下 / 自底向上、互补阵列保护

每颗芯片内置独立 128 位唯一 ID

支持 SFDP（串行 Flash 可发现参数）标准

3 组可 OTP 锁定、2048 字节安全寄存器

状态寄存器支持易失 / 非易失位

支持 RPMC（防重放单调计数器，安全加密需求）

封装选型

SOP 300mil 16L

WSON 6×8mm 8L

XM25RU512DXIQT一般说明

XM25RU512D（512Mbit）串行 Flash，专为空间、引脚、供电资源受限的系统提供存储方案。25RU 系列在灵活性与性能上远优于普通串行 Flash 器件，非常适合代码镜像加载至 RAM、通过双通道 / 四通道 SPI 直接运行程序（XIP），以及语音、文本与数据存储场景。该器件采用单电源供电，电压区间 1.65V~2.0V；深度掉电模式下功耗最低可达 1μA，全系提供省空间紧凑型封装。

XM25RU512D 存储阵列分为 262144 个可编程页，每页 256 字节，单次最多可编程 256 字节。擦除支持按 16 页一组（4KB 扇区擦除）、128 页一组（32KB 块擦除）、256 页一组（64KB 块擦除）或整片擦除。该芯片共有 16384 个可擦除扇区、1024 个可擦除块。4KB 小扇区设计，给需要保存参数与数据的应用带来更高灵活性（见图 1）。

XM25RU512D 支持标准 SPI、双通道 / 四通道 I/O SPI。SPI 时钟最高 133MHz；使用双通道 / 四通道高速读取指令时，等效速率可达 266MHz（Dual I/O）、532MHz（Quad I/O），传输性能优于传统 8 位、16 位异步并行 Flash。连续读取模式读取 24 位地址仅需 8 个时钟的指令开销，访问效率高，可实现真正的就地执行 XIP。

芯片自带 HOLD 引脚、写保护引脚，支持可编程写保护，可配置从阵列顶部或底部区域做保护，管控方式灵活。同时兼容 JEDEC 标准厂商 ID 与器件 ID、SFDP 寄存器，内置 128 位唯一序列号以及 3 组 2048 字节安全寄存器。

XM25RU512D 系列搭载 RPMC 防重放单调计数器增强安全认证能力，在 Flash 与主控之间建立高安全通信链路，降低系统遭受硬件攻击的风险。