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F59D1G81LB-45TG2M
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.7V～1.95V
- 温控范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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PTD15N10
- 制造商：HTSEMI(金誉) 电压-电源：
- 温控范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 存储容量：产品价格：具体面议
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PTD12N10
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：
- 温控范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：产品价格：具体面议
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PTL03N10
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：
- 温控范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：产品价格：具体面议
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PTY10HN08
- 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
- 温控范围：-55°C to150 °C 用途：功率场效应管MOSFET
- 存储容量：产品价格：具体面议
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F59L1G81MB-25BCG2M
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
- 温控范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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F59L1G81MB-25BG2M
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
- 温控范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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F59L1G81MB-25BUG2M
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
- 温控范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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F59L1G81MB-25TG2M
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
- 温控范围：0°C~+70°C 用途：快闪记忆体
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F59L1G81LB-25BCG2M
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