MX25V40066M1I02

MX25V40066 系列 2.3V-3.6V,4M-BIT [x 1/x 2]CMOS MXSMIO (SERIAL MULTI I/O)FLASH MEMORY

MX25V40066M1I02 SPI NOR FLASH 芯片特点

2.3V-3.6V for Read, Erase and Program OperationsMulti I/O Support - Single I/O and Dual I/O

上将

状态注册功能支持串行外围接口-模式0和电子识别

模式3

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

·4194304 x 1位结构或2097152 x2位身份证件（双输出模式）结构

-1字节设备ID的RES命令相等扇区，每个扇区4K字节，相等块

-REMS命令，用于1字节制造商ID和每个32K字节，或每个64K字节的相等块1字节设备ID

-任何块都可以单独擦除支持串行闪存可发现参数

单电源操作

（SFDP）模式

-工作电压：2.3V-3.6V，用于读取、擦除和

支持唯一ID（请联系当地Macronix项目运营销售详情）

从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护硬件功能

性能

SCLK输入高性能

-串行时钟输入

-快速阅读硅/二氧化硅

-11/O:80MHz，8个虚拟周期

-串行数据输入或串行数据输入/输出2

-1/20:80MHz，具有8个虚拟周期，

x I/O读取模式相当于160MHz SO/SI01

-快速编程和擦除时间

-串行数据输出或串行数据输入输出

低功耗2xI/O读取模式典型的100000次擦除/编程周期

WP#

20年数据保留

-硬件写保护包裹软件功能

PACKAGE

- 8-pin SOP (150mil)

- 8-pin SOP (200mil)

- 8-land USON (2x3mm)

高级安全功能

-所有设备均符合RoHS和卤素标准-

-闭锁保护自由的BPo-BP3状态位定义了区域的大小对程序进行软件保护擦除指令自动擦除与自动编程算法

-自动擦除并验证选定位置的数据扇区或区块

-自动编程和验证数据-

通过内部算法自动选择页面-ly乘以程序脉冲宽度（任何页面被编程的页面应处于擦除状态第一）2.概述

MX25V40066是4Mb位串行NOR闪存，内部配置为1048576 x4。

Mx25v4o066具有串行外围接口和软件协议，可在简单的3线总线上运行而它处于单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行Idata输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为地址/虚拟位的SIO0引脚和SIO1引脚输入和数据输出。

MX25v40066 MXSMIO°（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令以字节或页（256以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32KB块（32K字节）或64K字节上执行以块或整个芯片为基础。

为了给用户提供方便的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令，通过WiP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能部分更多细节。

I Mx25v4oo66利用Macronix专有的内存单元，即使在以下情况下也能可靠地存储内存内容典型的100000个编程和擦除周期。

MX25V40066M1I02引脚图