MX30UF1G18AC-XKI芯片型号介绍:
1.8V, 1G-bit NAND Flash Memory
MX30UF1G16(18)AC
1.特点
•1G位SLC NAND闪存
-公交车:x8,x16
-页面大小:x8总线为(2048+64)字节,
x16总线的(1024+32)字
-块大小:x8总线为(128K+4K)字节,
(64K+2K)字,适用于x16总线
-平面尺寸:
1024块/平面x 1
•符合ONFI 1.0标准
•多路命令/地址/数据
•用户冗余
-每页附加64字节
•快速读取访问
-数组注册延迟:25us
-顺序读取:25ns
•缓存读取支持
•页面程序操作
-页面编程时间:320us(典型值)
•缓存程序支持
•阻止擦除操作
-块擦除时间:1ms(典型值)
•单电压操作:
-VCC:1.7~1.95V
•低功耗
-最大30mA(1.8V)
有效电流(读取/编程/擦除)
•睡眠模式
-50uA(最大)待机电流
•硬件数据保护:WP#引脚
•设备状态指示器
-就绪/忙碌(R/B#)引脚
-状态登记簿
•芯片启用不在乎
-简化系统界面
•唯一ID读取支持(ONFI)
•安全的OTP支持
•电子签名(5个周期)
•高可靠性
-耐久性:典型的100K循环
(每(512+16)字节4位ECC)
-数据保留期:10年
•宽温度工作范围
-40°C至+85°C
•包装:
1) 48-TSOP(I)(12mm x 20mm)
2) 63球9mmx11mm VFBGA
3) 48球6mmx8mm VFBGA
所有封装设备均符合RoHS标准
无卤素。
一般说明
MX30UF1G16(18)AC是1Gb SLC NAND闪存设备。其标准NAND闪存功能和
典型P/E周期100K(带ECC)的可靠质量,使其最适合嵌入式系统代码
以及数据存储。
该产品系列每528B需要4位ECC。
该设备通常以2112字节(x8)或1056字(x16)的页面访问,用于读取和
程序操作。
该设备的数组由数千个块组成,由64页(1024+32)单词组成
在一个单一的NAND串结构中,每个串中有32个串行连接的单元。每个页面都有一个额外的
用于ECC和其他目的的32个字。该设备有一个2112字节或1056个字(x16)的片上缓冲区
用于数据加载和访问。
MX30UF1G16(18)AC的缓存读取操作可实现25us的第一字节读取访问延迟
25ns的顺序读取,下一个顺序页面的延迟时间将从tR缩短到tRCBSY。
MX30UF1G16(18)AC功耗在所有操作模式(读取/编程/擦除)期间为30mA,
待机状态下为50uA
