MX30LF2G18AC-TI

3V, 2G/4G-bit NAND Flash Memory MX30LFxG18AC

MXIC(旺宏电子)MX30LF2G18AC-TI 1.8V SLC NAND Flash 闪存芯片型号介绍：

1. 特性

・2Gb/4Gb 容量单阶存储单元（SLC）NAND 闪存

总线宽度：x8

页大小：（2048+64）字节

块大小：（128K+4K）字节

平面大小：

2Gb 版本：每平面 1024 块 × 2 个平面

4Gb 版本：每平面 2048 块 × 2 个平面

・兼容 ONFI 1.0 标准

・命令 / 地址 / 数据复用（总线）

・用户冗余空间

每一页附加 64 字节空间

・快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

连续读取速度：20 纳秒（ns）

・支持缓存读取（Cache Read）

・页编程操作

页编程时间：典型值 300 微秒（μs）

・支持缓存编程（Cache Program）

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 1 毫秒（ms）

・单电压供电

供电电压（VCC）：2.7~3.6 伏

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 30 毫安（mA）

・休眠模式

待机电流：最大 50 微安（μA）

・硬件数据保护：写保护（WP#）引脚

・块保护功能

保护（PT）引脚：上电时为高电平，可保护整个芯片，该引脚内置弱下拉电阻

临时保护 / 解除保护功能（通过 PT 引脚启用）

固定保护功能（通过 PT 引脚启用）

・器件状态指示

就绪 / 忙（R/B#）引脚

状态寄存器

・芯片使能无关（Chip Enable Don't Care）

简化系统接口设计

・支持读取唯一标识符（符合 ONFI 标准）

・支持安全一次性可编程（Secure OTP）功能

・高可靠性

擦写寿命：典型值 10 万次循环（每（512+16）字节数据配备 4 位纠错码（ECC）时）

数据保留期：10 年

・宽工作温度范围

-40°C ~ +85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX30LF2G18AC-TI SLC NAND Flash 闪存芯片介绍：

MX30UF2G16 (18) AC 是一款容量为 2Gb（吉比特）的 SLC（单级单元）NAND 闪存器件。该器件具备标准的 NAND 闪存特性，且拥有典型值为 100,000 次（配合 ECC 纠错码）的 P/E（编程 / 擦除）循环可靠性，非常适合用于嵌入式系统的代码存储与数据存储场景。

该产品系列要求每 528 字节（528B）数据配备 4 位 ECC（纠错码）。

无论是读取操作还是编程操作，访问该器件的基本单位通常为2112 字节（x8 总线） 或 1056 字（x16 总线）。

该器件的存储阵列由数千个 “块”（Block）构成，每个块采用双 NAND 串结构，包含 64 个 “页”（Page），每个页的大小为（1024+32）字；且每个 NAND 串内部包含 32 个串联连接的存储单元。此外，每个页还额外配备 56 字的空间，用于 ECC 纠错及其他用途。该器件内置一个片上缓存（On-Chip Buffer），容量为 2112 字节（x8 总线）或 1056 字（x16 总线），用于数据加载与访问。

MX30UF2G16 (18) AC 的 “缓存读取操作”（Cache Read Operation）可实现以下性能：首字节读取延迟为 25 微秒（μs），顺序读取速度为 25 纳秒（ns）；且后续连续页的读取延迟会从常规的 tR（页读取时间）缩短至 tRCBSY（缓存连续读取忙时延迟）。

在所有工作模式（读取 / 编程 / 擦除）下，MX30UF2G16 (18) AC 的功耗为 30 毫安（mA）；而在待机模式下，功耗仅为 50 微安（μA）。