MX35LF2GE4AD-Z4I

MX35LF系列（MX35LF2GE4AD-Z4I）由3V串行NAND存储器组成，支持单、双和四I/O操作。MX35LF是3V串行NAND系列，在四输入/输出模式下具有高性能120MHz SPI时钟速率。根据客户不同的密度需求，有两种包装选项：8-WSON（8x6mm）和16-SOP（200mil）。MX35LF系列非常适合具有串行外围接口（SPI）的嵌入式应用，这些应用需要更高的存储容量，如数字电视、机顶盒和接入点路由器。

Density	2Gb	Status	Production, for new design
Vcc	2.7V-3.6V	Bus Width	x1, x2, x4
Cell Type	SLC	Frequency (MHz)	133(x1, x2, x4)
Page Size	2KB	Packages	8x6mm 8-WSON 3.4X4.3EP
ECC Requirement	ECC-free	Temperature Range	Industrial Grade (I) -40℃ to +85℃
Datasheet	MX35LF2GE4AD, 3V, 2Gb, v1.6.pdf

2G-bit/4G-bit Serial NAND Flash Memory MX35LFxGE4AD

MXIC(旺宏电子)MX35LF2GE4AD-Z4I Serial NAND Flash 闪存芯片型号介绍：

特性

・2Gb、4Gb 串行闪存

总线：x4

2Gb：页大小：（2048+64）字节，块大小：（128K+4K）字节（注 1）

4Gb：页大小：（4096+128）字节，块大小：（256K+8K）字节（注 1）

・快速读取访问

支持 x1、x2 和 x4 模式下的随机数据读出（1-1-1、1-1-2、1-1-4、1-2-2、1-4-4）（注 2）

阵列到寄存器的延迟：2Gb 为 70 微秒，4Gb 为 110 微秒

频率：133MHz

支持连续读取

・页编程操作

页编程时间：2Gb 典型值 360 微秒，4Gb 典型值 400 微秒

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 4 毫秒

・单电压供电

供电电压（VCC）：2.7 至 3.6V

・用于块组保护的 BP 位

・具有物理不可克隆功能（PUF）类型编码结构的唯一标识符读取

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 40mA

・待机模式

待机电流：最大 110μA

・高可靠性

用于数据恢复的特殊读取：通过设置特性启用

编程 / 擦除寿命：每（512+32）字节配备 8 位 ECC 时，典型值为 60K 次循环

用户可灵活设置 ECC 位翻转阈值

数据保留期：10 年

・支持坏块表（BBM Table）

・宽工作温度范围-40°C 至 +85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 8-WSON (8mm x 6mm)

2) 24-Ball BGA (6x8mm, 5x5 ball array)

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX35LF2GE4AD-Z4I 串行 NAND 闪存芯片介绍：

MX35LFxGE4AD 是一款采用串行接口、工作电压为 3V 的 2Gb/4Gb 单阶存储单元（SLC）NAND 闪存器件。

该器件的存储阵列采用与并行 NAND 闪存相同的单元架构，同时搭载了行业标准的串行接口。

芯片内部集成了 8 位纠错码（ECC）逻辑，默认处于使能状态。通过指令可禁用或重新使能该内部 ECC 功能：当内部 8 位 ECC 逻辑被禁用时，需由主机端的微控制器负责处理 8 位 ECC 相关操作。

该器件支持常规读取模式与连续读取模式：

若配置寄存器中的 “CONT” 位设置为 “0”，器件将进入常规读取模式 —— 此时用户必须发送页读取指令才能读取数据，无法跨页读取；

若配置寄存器中的 “CONT” 位设置为 “1”，器件将进入连续读取模式 —— 此时用户无需发送下一页读取指令，即可跨页边界读取连续的页数据。

为降低用户操作复杂度，该器件提供 40 组坏块管理（BBM）链接。这些链接可提供连续的完好块，从而减少软件设计工作量并提升读取吞吐量。此外，用户可通过为单个块分配多组 BBM 链接进行块替换，以提升该单个块的擦写（P/E）寿命：例如，为单个块分配 2 组 BBM 链接进行替换，可使该块的擦写循环次数提升至原来的 2 倍；分配 3 组 BBM 链接则可提升至原来的 3 倍，以此类推。