MX25L6433F 3V,64M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO®(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX25L6433FM2R-08Q Serial NOR Flash芯片型号的主要功能:
主要特性
1. 特性
概述
支持串行外设接口(SPI)—— 模式 0 和模式 3
存储结构:
67,108,864 × 1 位
或 33,554,432 × 2 位(双线 I/O 读模式)
或 16,777,216 × 4 位(四线 I/O 模式)
2048 个相等扇区,每扇区 4K 字节,任意扇区可单独擦除
256 个相等块,每块 32K 字节,任意块可单独擦除
128 个相等块,每块 64K 字节,任意块可单独擦除
电源工作特性
读、擦除、编程操作:2.65–3.6V
抗闩锁保护:-1V 至 VCC+1V 范围内可耐受 100mA
支持性能增强模式 ——XIP 片内执行模式
性能
高性能
工作电压 VCC = 2.65–3.6V
普通读取:50MHz
快速读取:
FAST READ、DREAD、QREAD:133MHz(8 个空周期)
2READ:80MHz(4 个空周期)/ 133MHz(8 个空周期)
4READ:80MHz(6 个空周期)/ 133MHz(10 个空周期)
2READ 和 4READ 操作可配置空周期数量
支持 8/16/32/64 字节环绕突发读模式
低功耗特性
典型擦写寿命:100,000 次
数据保存时间:20 年
软件特性
输入数据格式:1 字节指令码
高级安全特性
块锁定保护
通过 BP0~BP3 位和 T/B 状态位定义受保护区域大小,禁止对该区域执行编程与擦除指令。
额外 8K 位安全一次性可编程(OTP)区域
具备唯一标识符(UID)
出厂锁定可识别,支持用户自行锁定
自动擦除与自动编程算法
自动对指定扇区执行擦除并校验
通过内部算法自动控制编程脉冲宽度,对指定页执行编程并校验
(待编程的页必须先处于擦除状态。)
状态寄存器功能
指令复位
编程 / 擦除挂起
编程 / 擦除恢复
电子识别码
JEDEC 标准:1 字节制造商 ID + 2 字节器件 ID
通过 RES 指令读取 1 字节器件 ID
支持 ** 串行闪存可发现参数(SFDP)** 模式
硬件特性
SCLK 输入
串行时钟输入
SI/SIO0
串行数据输入;或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出;或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出
SO/SIO1
串行数据输出;或 2×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出;或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出
WP#/SIO2
硬件写保护;或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出
HOLD#/SIO3
在不取消片选的情况下暂停器件操作;或 4×I/O 模式下的串行数据输入 / 输出
封装形式
M2:200mi 8-SOP
M: 300mil 16-SOP
ZN: 6x5mm 8-WSON
Z2:8x6mm 8-WSON
XC: 6x8mm 24-TFBGA
ZC:8-XSON (4x4mm)
所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素
2. MX25L6433FM2R-08Q NOR Flash芯片概述
MX25L6433FM2R-08Q是一款 64Mb 串行 NOR 闪存,内部组织结构为 8,388,608 × 8 位。
四线 I/O 模式下:结构为 16,777,216 × 4 位
双线 I/O 模式下:结构为 33,554,432 × 2 位
MX25L6433F 采用串行外设接口(SPI)与软件协议,在单线 I/O 模式下可通过简易三线总线工作:时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)。通过 CS# 片选信号 使能对芯片的串行访问。
MX25L6433F 属于 MXSMIO®(串行多 I/O)闪存,支持全芯片连续读取功能及多 I/O 特性。
在四线 I/O 模式下,SI、SO、WP#、HOLD# 引脚分别转为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3,用于地址 / 空周期输入及数据输入输出。
发出编程 / 擦除指令后,芯片将自动执行自动编程 / 擦除算法,对指定页或扇区 / 块进行编程 / 擦除并校验。
编程操作:按字节或按 ** 页(256 字节)** 执行
擦除操作:支持 4K 字节扇区、32K 字节 / 64K 字节块或整片擦除
为方便用户使用,芯片内置状态寄存器用于指示工作状态。可通过读状态指令,利用 WIP 位 检测编程或擦除操作是否完成。
当芯片未处于工作状态且 CS# 为高电平时,器件将进入待机模式。
MX25L6433F 采用旺宏(Macronix)专利存储单元,在 10 万次编程 / 擦除周期后仍能可靠保存数据


