MX25UW51245GXDI00

MX25UW51245G 1.8V 512M-BIT [x1x8] Read-While-Write octaflash Memory

MXIC(旺宏电子)MX25UW51245GXDI00 Serial NOR Flash芯片特点：

一、产品特性

通用特性

支持串行外设接口 —— 模式 0

单电源供电工作

读写、擦除、编程操作均支持 2.0V 供电

512 兆位：536,870,912×1 位存储结构，或 67,108,864×8 位（八通道输入输出模式）存储结构

协议支持

支持单通道输入输出、八通道输入输出

支持双倍传输速率模式

支持读写同时操作：一个存储区执行擦除 / 编程操作时，可从另一存储区执行读操作

多存储区架构

配备 4 个统一规格存储区

擦除 / 编程操作仅在一个存储区执行时，其余三个存储区均可执行读操作

高频支持

支持最高时钟频率：

单通道输入输出模式：133 兆赫兹

八通道输入输出模式：200 兆赫兹

八通道输入输出读操作的虚拟周期数支持配置

其他功能

支持片上执行功能

存储单元规格统一：4 千字节扇区，64 千字节块

支持任意地址随机读取

写缓冲

256 字节页缓冲

支持可中断式写入

支持写缓冲读取

数据完整性校验功能

错误检测与纠正：防止数据存储错误

循环冗余校验 1：防止数据传输错误

典型擦除 / 编程循环次数：10 万次

数据保存期限：20 年

兼容联合电子设备工程委员会串行外设接口扩展规范

软件特性

输入数据格式

串行外设接口（SPI）：1 字节指令码

八通道输入输出（OPI）：2 字节指令码

高级安全特性

块锁定保护

块保护位 0-3（BPO-BP3）及顶部 / 底部（T/B）状态位定义受保护区域的大小，可抵御编程和擦除指令的非法操作

独立扇区保护（固化保护）

附加安全一次性可编程（OTP）SK 位

具备唯一标识符

工厂锁定标识，同时支持客户自定义锁定

指令复位

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子身份识别

符合联合电子设备工程委员会（JEDEC）标准：1 字节制造商 ID、2 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

串行时钟输入（SCLK）

串行时钟信号输入引脚

串行输入输出 0-7（SIO0-SIO7）

串行数据输入或串行数据输出引脚

数据选通信号（DQS）

数据选通信号引脚

错误检测与纠正校验信号（ECS#）

错误检测与纠正（ECC）校验信号引脚

硬件复位（RESET#）

硬件复位引脚

封装规格：

XD: 24-Ball BGA(5x5 ball array)

所有器件均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）规范，且为无卤素产品

MX25UW51245GXDI00 Serial NOR Flash芯片概述：

MX25UWS1245G 为 512 兆位八通道接口串行 NOR 闪存，其内部存储架构配置为 67108864×8 位。

该款八通道闪存集成串行外设接口及配套软件协议，可基于单电源供电工作，仅需串行数据信号、串行时钟信号及片选信号即可实现器件操作。

MX25UWS1245G 八通道闪存搭载多存储区架构，支持读写同时操作：当其中一个存储区执行编程或擦除操作时，其余存储区可同步开展连续读操作。

器件支持按扇区（4 千字节）、按块（64 千字节）或整片进行擦除操作，擦除方式灵活可选。

为提升用户接口操作便捷性，器件内置状态寄存器及读写状态寄存器，可通过写操作进行（WIP）位实时反馈器件当前工作状态。

当器件无操作且片选（CS#）引脚为高电平时，将自动进入待机模式。

MX25UWS1245G 采用旺宏电子专属存储单元技术，即便经过 10 万次编程与擦除循环，仍能可靠保存存储数据。

当器件无操作且片选信号 CS# 为高电平时，将自动进入待机模式。