MX25R1035F ULTRA LOW POWER, 1M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX25R1035FM1IH1 Serial NOR Flash芯片特点:
通用特性(GENERAL)
支持串行外设接口(Serial Peripheral Interface,SPI)—— 模式 0(Mode 0)和模式 3(Mode 3)
存储结构可选:1,048,576×1 位、524,288×2 位(双 I/O 模式,two I/O mode)或 262,144×4 位(四 I/O 模式,four I/O mode)
扇区 / 块配置:
均等扇区(Equal Sectors),每个扇区 4KB;或均等块(Equal Blocks),每个块 32KB/64KB
任意块可单独擦除(Any Block can be erased individually)
单电源供电(Single Power Supply Operation)
工作电压(Operation Voltage):读取(Read)、擦除(Erase)和编程(Program)操作均为 1.65V-3.6V
闩锁保护(Latch-up protected):在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内,可承受 100mA 电流
性能特性(PERFORMANCE)
高性能(High Performance)
快速读取(Fast read)
1 路 I/O(1 I/O):108MHz,需 8 个虚拟周期(dummy cycles)
2 路 I/O(2 I/O):104MHz,需 4 个虚拟周期,等效频率 208MHz
4 路 I/O(4 I/O):104MHz,需 2+4 个虚拟周期,等效频率 416MHz
快速编程与擦除时间(Fast program and erase time)
8/16/32/64 字节回绕突发读取模式(Wrap-Around Burst Read Mode)
超低功耗(Ultra Low Power Consumption)
最少 100,000 次擦除 / 编程循环(Minimum 100,000 erase/program cycles)
20 年数据保留期(20 years data retention)
软件特性(SOFTWARE FEATURES)
输入数据格式(Input Data Format)
1 字节命令码(1-byte Command code)
高级安全特性(Advanced Security Features)
块锁定保护(Block lock protection):BP0-BP3 状态位(status bit)定义受软件保护的区域大小,该区域可抵御编程和擦除指令(against program and erase instructions)
额外 8K 位安全一次性可编程(OTP,One-Time Programmable)存储区
具备唯一标识符(unique identifier)
出厂锁定可识别(Factory locked identifiable),且客户可锁定(customer lockable)
自动擦除与自动编程算法(Auto Erase and Auto Program Algorithm)
通过内部算法自动对选定扇区或块(selected sector or block)执行擦除并验证数据
通过内部算法自动对选定页(selected page)执行编程并验证数据,该算法会自动控制编程脉冲宽度(program pulse widths)(注:待编程的页需先处于擦除状态,Any page to be programmed should have page in the erased state first)
状态寄存器功能(Status Register Feature)
命令复位(Command Reset)
编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复(Program/Erase Suspend and Program/Erase Resume)
电子标识(Electronic Identification)
符合 JEDEC 标准:1 字节制造商 ID(manufacturer ID)和 2 字节器件 ID(device ID)
RES 命令(RES command):用于读取 1 字节器件 ID
REMS 命令(REMS command):用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID
支持串行闪存可发现参数(SFDP,Serial Flash Discoverable Parameters)模式
支持唯一 ID(Unique ID)
硬件特性(HARDWARE FEATURES)
・SCLK 输入(SCLK Input)
串行时钟输入(Serial clock input)
・SI/SIO0 引脚
串行数据输入(Serial Data Input);或在 2 路 I/O 读取模式(2 x I/O read mode)和 4 路 I/O 读取模式(4 x I/O read mode)下作为串行数据输入 / 输出(Serial Data Input/Output)
・SO/SIO1 引脚
串行数据输出(Serial Data Output);或在 2 路 I/O 读取模式和 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
・WP#/SIO2 引脚
硬件写保护(Hardware write protection);或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出
・RESET#/SIO3 * 或 HOLD#/SIO3 * 引脚
硬件复位引脚(Hardware Reset pin);或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行输入 / 输出(Serial input & Output)
或
保持功能(HOLD feature):用于暂停器件(pause the device),且无需取消选中该器件(without deselecting the device);或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行输入 / 输出
取决于器件型号选项(Depends on part number options)
封装规格:
M1:8-SOP (150mil)
M2:8-SOP (200mil)
O:8-TSSOP (173mil)
ZU:8-USON (2x3mm)
BF:3-2-3 8-WLCSP
全系列产品均符合有害物质限制指令要求,且为无卤产品
MX25R1035FM1IH1 Serial NOR Flash芯片概述:
MX25R1035F 是一款容量为 1Mb(兆位)的串行 NOR 闪存,其内部存储结构配置为 131,072×8 位。当工作在四 I/O 模式下时,存储结构可变为 262,144 位 ×4 位或 524,288 位 ×2 位。
MX25R1035F 具备串行外设接口(SPI)和专用软件协议,在单 I/O 模式下,仅需通过简单的 3 线总线即可实现操作。这三条总线信号分别为:时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过片选信号(CS#)输入,可使能对该器件的串行访问功能。
当器件工作在双 I/O 读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚会分别切换为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入及数据输出;当工作在四 I/O 读取模式时,SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚及 RESET#/HOLD# 引脚会分别切换为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚及 SIO3 引脚,同样用于地址 / 虚拟位输入及数据输出。
MX25R1035F 搭载的 MXSMIO®(串行多 I/O,Serial Multi I/O)技术,支持对整个芯片进行连续读取操作。
当发送编程 / 擦除命令后,器件会自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法会对指定页或扇区 / 块地址进行编程 / 擦除操作,并对操作结果进行验证。其中,编程命令可按字节、按页(256 字节)或按字(word)为单位执行;擦除命令可按 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整个芯片为单位执行。
为方便用户进行接口操作,该器件内置了一个状态寄存器,用于指示芯片当前的工作状态。通过发送状态读取命令,可借助 “写忙”(WIP)位检测编程或擦除操作的完成状态。
该器件还具备增强型高级安全特性,可提升数据保护与安全防护能力,详细信息请参见 “安全特性” 章节。
MX25R1035F 采用旺宏(Macronix)专有存储单元技术,即便经过 100,000 次编程与擦除循环后,仍能可靠地保存存储内容。

