MX25R2035FZUIH1

MX25R2035F ULTRA LOW POWER, 2M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25R2035FZUIH1 Serial NOR Flash芯片特点：

1. 特性

超低功耗 2M 位 [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO®（串行多 I/O）闪存存储器

通用特性

支持串行外设接口（SPI）—— 模式 0 和模式 3

2,097,152 × 1 位结构、1,048,576 × 2 位（双 I/O 模式）结构或 524,288 × 4 位（四 I/O 模式）结构

均为 4K 字节的扇区，或均为 32K/64K 字节的块

任意块均可单独擦除

单电源供电运行

工作电压：读取、擦除和编程操作均为 1.65V - 3.6V

具备闩锁保护功能，在 -1V 至 Vcc + 1V 电压范围内可承受 100mA 电流

性能特性

高性能

快速读取

1 路 I/O：108MHz 时钟频率，8 个虚拟周期

2 路 I/O：104MHz 时钟频率，4 个虚拟周期，等效于 208MHz

4 路 I/O：104MHz 时钟频率，2 + 4 个虚拟周期，等效于 416MHz

快速编程和擦除时间

8/16/32/64 字节回绕突发读取模式

超低功耗

最少 100,000 次擦除 / 编程循环

20 年数据保持期

软件特性

输入数据格式

1 字节命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BP0 - BP3 状态位用于定义通过软件保护、防止执行编程和擦除指令的区域大小

额外的 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定（可识别），且客户可进一步锁定

自动擦除和自动编程算法

通过内部算法自动对选定扇区或块执行擦除并验证数据

通过内部算法自动对选定页执行编程并验证数据（该算法会自动控制编程脉冲宽度）（注：待编程的任意页需先处于擦除状态）

状态寄存器功能

命令复位

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复

电子标识

符合 JEDEC 标准的 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

执行 RES 命令可读取 1 字节器件 ID

执行 REMS 命令可读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

支持唯一 ID

硬件特性

・SCLK 输入

串行时钟输入

• SI/SIO0

串行数据输入；或在 2 路 I/O 读取模式与 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

• SO/SIO1

串行数据输出；或在 2 路 I/O 读取模式与 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

• WP#/SIO2

硬件写保护；或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

・RESET#/SIO3 * 或 HOLD#/SIO3 *

硬件复位引脚；或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

或

HOLD（保持）功能：用于暂停器件运行且不取消器件选择；或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出

取决于零件编号选项

封装规格：

M1: 8-SOP(150mil)

O: 8-TSSOP (173mil)

ZN: 8-WSON (6x5mm)

ZU: 8-USON (2x3mm)

BD: 3-2-3 8-WLCSP

全系列产品均符合有害物质限制指令要求，且为无卤产品

MX25R2035FZUIH1 Serial NOR Flash芯片概述：

MX25R2035F 是一款 2Mb（兆位）串行 NOR 闪存，其内部结构配置为 262,144 × 8 位。当工作在四 I/O 模式时，该器件结构会变为 524,288 位 × 4 位或 1,048,576 位 × 2 位。

MX25R2035F 具备串行外设接口（SPI）和软件协议，在单 I/O 模式下可通过简单的三线总线运行。这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过片选输入（CS#）可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出；当工作在四 I/O 读取模式时，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚以及 RESET#/HOLD# 引脚会分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出。

MX25R2035F 搭载的 MXSMIO®（串行多 I/O）技术支持对整个芯片进行顺序读取操作。

当发出编程 / 擦除命令后，器件将执行自动编程 / 擦除算法，该算法会对指定的页或扇区 / 块区域进行编程 / 擦除操作，并验证操作结果。编程命令可按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口设计，该器件内置了一个状态寄存器，用于指示芯片的当前状态。通过发出状态读取命令，可借助 “写操作进行中”（WIP）位检测编程或擦除操作的完成状态。

该器件还具备增强型保护与安全功能的高级安全特性，详情请参见 “安全特性” 章节。

MX25R2035F 采用了旺宏（Macronix）专有的存储单元技术，即使经过 100,000 次编程与擦除循环后，仍能可靠地保存存储内容。