MX25L12873FZNI-10G

MX25L12873F 3V 128M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO™(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L12873FZNI-10G Serial NOR Flash芯片特点：

1. 产品特性

通用特性

支持串行外设接口 —— 模式 0 与模式 3

单电源供电运行

读取、擦除及编程操作电压范围：2.7~3.6 伏

存储容量 128Mb：支持三种存储位宽架构，分别为 134,217,728×1 比特、67,108,864×2 比特（双 I/O 模式）、33,554,432×4 比特（四 I/O 模式）

协议支持

单 I/O、双 I/O 及四 I/O 协议

闩锁保护能力：在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流冲击

SPI 模式快速读取功能

全协议下支持最高 133MHz 时钟频率

支持快速读取、2 线读取、双 I/O 读取、4 线读取、四 I/O 读取指令

快速读取操作的虚拟周期数可配置

默认启用四 I/O 模式（QE 位 = 1），且该配置不可修改

支持四外设接口（QPI）

扇区与块划分：支持 4KB 等容量扇区、32KB 等容量块或 64KB 等容量块

任意块均可独立擦除

编程特性

配备 256 字节页缓冲器

支持四 I/O 页编程指令（4PP），提升编程性能

典型擦除 / 编程循环次数：100,000 次

数据保存期限：20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节指令编码

高级安全特性

块锁定保护：通过 BP0-BP3 及 T/B 状态位定义受保护区域大小，防止该区域被执行编程与擦除指令

高级扇区保护功能（固化保护与密码保护）

额外 4K 比特一次性可编程（OTP）安全存储区

内置唯一标识符

支持工厂锁定（可识别）及客户自主锁定

指令复位功能

编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子身份识别

遵循 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID 与 2 字节器件 ID

RES 指令：读取 1 字节器件 ID

REMS 指令：读取 1 字节制造商 ID 与 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

串行时钟（SCLK）输入

串行时钟信号输入端

SI/SIO0

串行数据输入引脚；或在双 I/O 读取模式、四 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

SO/SIO1

串行数据输出引脚；或在双 I/O 读取模式、四 I/O 读取模式下，作为串行数据输入 / 输出引脚

SIO2

四 I/O 读取模式下的串行数据输入 / 输出引脚

SIO3

四 I/O 读取模式下的串行数据输入 / 输出引脚

封装规格：

M2: 8-SOP (200mil)

M: 16-SOP (300mil)

ZN: 8-WSON (6x5mm)

全系列产品均符合有害物质限制指令要求，且为无卤产品

相关型号：MX25L12873FM2I-10G、MX25L12873FMI-10G

MX25L12873FZNI-10G Serial NOR Flash芯片概述：

MX25L12873F是一款容量为 128Mb 的串行闪存，其内部默认配置为16,777,216×8 的存储架构。当工作于双 I/O 或四 I/O 模式时，存储架构将分别切换为 67,108,864×2 或 33,554,432×4。该器件集成串行外设接口与配套软件协议，在单I/O模式下可通过简易的三线总线实现数据传输，三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）。片选信号（CS#）输入有效时，器件将启动串行访问流程。

工作于双 I/O 读取模式时，原本的 SI 引脚与SO引脚将切换为SIO0引脚和 SIO1 引脚，用于传输地址 / 虚拟位输入信号与数据输出信号；工作于四I/O读取模式时，SI 引脚、SO 引脚则会扩展为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3 四根引脚，承担地址/虚拟位输入与数据输出功能。

MX25L12873F搭载旺宏专利的MXSMIO™（串行多I/O）技术，支持对整片闪存执行连续读取操作。

当器件接收到编程/擦除指令后，内置的自动编程/擦除算法将启动，完成对指定页、扇区或块地址的编程/擦除操作，并进行数据校验。编程操作支持按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除操作支持按扇区（4KB）、按块（32KB）、按块（64KB）或整片执行。

为简化用户接口设计，器件内置状态寄存器以实时反馈芯片工作状态。用户可发送状态读取指令，通过寄存器内的忙状态位（WIP） 判断编程或擦除操作的完成情况。

器件配备的高级安全特性可显著提升数据保护能力与安全等级，具体详情请参见 “安全特性” 章节。

当器件无操作且片选信号（CS#）为高电平时，将自动进入待机模式。

MX25L12873F采用旺宏独有的存储单元技术，即使经历 100,000 次编程 / 擦除循环，仍能保证存储数据的可靠性。

数据保护

在电源切换过程中，可能会出现异常的系统级信号，进而导致误擦除或误编程操作。本器件内置保护机制，可有效防止此类意外写入行为。

上电过程中，状态机将自动复位至待机模式。此外，器件的控制寄存器架构作出限制：只有在成功执行特定指令序列后，才能对存储器内的数据进行修改。

下文列出多项保护特性，可防止电源上电、掉电阶段或系统噪声引发的意外写入操作：

有效指令长度校验：对指令长度进行校验，确保指令以字节为单位，且在字节边界处完成传输。

写使能（WREN）指令：在执行任何修改数据的指令前，必须先发送写使能指令，将写使能锁存位（WEL）置位。

深度掉电模式：进入深度掉电模式后，除深度掉电解除指令（RDP）、读取电子签名指令（RES） 及软复位指令外，器件将拒绝执行其他所有写入类指令，以此实现保护。

高级安全特性：内置多重保护与安全机制，可防止数据被意外改写或恶意访问。